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  • 型号: MMBF4391LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MMBF4391LT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF4391LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF4391LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBF4391LT1G封装/规格:晶体管 - JFET, JFET N-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBF4391LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBF4391LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBF4391LT1G是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的JFET(结型场效应晶体管),具体为N沟道增强型晶体管。这类器件在模拟和数字电路设计中有着广泛的应用场景,尤其适用于需要低噪声、高输入阻抗特性的场合。

应用场景概述:

1. 音频放大器与前置放大器:
   - MMBF4391LT1G因其低噪声特性,非常适合用于音频信号的放大处理。它能够有效减少背景噪音,提高音质清晰度,在专业音响设备、耳机放大器以及便携式音频播放器等产品中有广泛应用。
   
2. 射频(RF)及无线通信系统:
   - 在高频信号处理方面表现出色,可用于构建高性能的RF开关、混频器和振荡器等组件,适用于无线通信模块、蓝牙设备、Wi-Fi路由器等电子产品中,确保信号传输稳定可靠。
   
3. 传感器接口电路:
   - 由于其高输入阻抗特性,可以作为各种传感器(如温度、湿度、压力等)的接口元件,将微弱的传感信号进行初步放大而不影响原始信号质量,进而提升整个系统的测量精度。
   
4. 电源管理与保护电路:
   - 在一些小型化、低功耗的设计方案里,该型号JFET可以用作简单的电流控制或电压调节单元,实现对负载的有效保护;同时也能参与构成过流/过压保护机制,保障电路安全运行。
   
5. 数据采集与信号调理:
   - 对于要求高精度的数据采集系统而言,MMBF4391LT1G可充当缓冲器角色,隔离前端敏感元件与后端处理电路,避免相互干扰,保证采样数据的真实性和准确性。

总之,MMBF4391LT1G凭借其优异的电气性能,在众多电子领域内扮演着重要角色,是工程师们进行创新设计时值得信赖的选择之一。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

JFET N-CH 30V 225MW SOT23JFET 30V 10mA

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

N 沟道

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,JFET,ON Semiconductor MMBF4391LT1G-

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产品型号

MMBF4391LT1G

PCN组件/产地

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Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgs=0时的漏-源电流

50 mA to 150 mA

不同Id时的电压-截止(VGS关)

4V @ 10nA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

50mA @ 15V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

14pF @ 15V

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产品种类

JFET

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBF4391LT1GOSCT

功率-最大值

225mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

30V

漏源电压VDS

30 V

电压-击穿(V(BR)GSS)

30V

电阻-RDS(开)

30 欧姆

系列

MMBF4391L

配置

Single

闸/源击穿电压

30 V

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