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MMBF4391LT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF4391LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF4391LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBF4391LT1G封装/规格:晶体管 - JFET, JFET N-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBF4391LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBF4391LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBF4391LT1G是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的JFET(结型场效应晶体管),具体为N沟道增强型晶体管。这类器件在模拟和数字电路设计中有着广泛的应用场景,尤其适用于需要低噪声、高输入阻抗特性的场合。 应用场景概述: 1. 音频放大器与前置放大器: - MMBF4391LT1G因其低噪声特性,非常适合用于音频信号的放大处理。它能够有效减少背景噪音,提高音质清晰度,在专业音响设备、耳机放大器以及便携式音频播放器等产品中有广泛应用。 2. 射频(RF)及无线通信系统: - 在高频信号处理方面表现出色,可用于构建高性能的RF开关、混频器和振荡器等组件,适用于无线通信模块、蓝牙设备、Wi-Fi路由器等电子产品中,确保信号传输稳定可靠。 3. 传感器接口电路: - 由于其高输入阻抗特性,可以作为各种传感器(如温度、湿度、压力等)的接口元件,将微弱的传感信号进行初步放大而不影响原始信号质量,进而提升整个系统的测量精度。 4. 电源管理与保护电路: - 在一些小型化、低功耗的设计方案里,该型号JFET可以用作简单的电流控制或电压调节单元,实现对负载的有效保护;同时也能参与构成过流/过压保护机制,保障电路安全运行。 5. 数据采集与信号调理: - 对于要求高精度的数据采集系统而言,MMBF4391LT1G可充当缓冲器角色,隔离前端敏感元件与后端处理电路,避免相互干扰,保证采样数据的真实性和准确性。 总之,MMBF4391LT1G凭借其优异的电气性能,在众多电子领域内扮演着重要角色,是工程师们进行创新设计时值得信赖的选择之一。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | JFET N-CH 30V 225MW SOT23JFET 30V 10mA |
产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
FET类型 | N 沟道 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor MMBF4391LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBF4391LT1G |
PCN组件/产地 | |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | 50 mA to 150 mA |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 4V @ 10nA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 50mA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14pF @ 15V |
产品目录页面 | |
产品种类 | JFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBF4391LT1GOSCT |
功率-最大值 | 225mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
漏源电压VDS | 30 V |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
电阻-RDS(开) | 30 欧姆 |
系列 | MMBF4391L |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 30 V |