【晶体管 - FET，MOSFET - 单_MMBF170LT3G】封装/厂家_MMBF170LT3G中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： MMBF170LT3G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF170LT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF170LT3G价格参考。ON SemiconductorMMBF170LT3G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 500mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载MMBF170LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBF170LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBF170LT3G 是由 ON Semiconductor 生产的单个 N 沟道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号的应用场景广泛，尤其适用于需要高效、低功耗和高可靠性的电路设计。以下是 MMBF170LT3G 的主要应用场景：

 1. 电源管理
   - 线性稳压器：MMBF170LT3G 可用于线性稳压器中的开关元件，帮助调节输出电压，确保稳定的电源供应。
   - DC-DC 转换器：在降压或升压型 DC-DC 转换器中，MOSFET 作为开关元件，控制电流的通断，实现高效的电压转换。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制：该 MOSFET 适合用于驱动小型直流电机或步进电机，能够快速响应并提供足够的驱动电流，同时保持较低的导通电阻，减少发热。
   - H 桥电路：在 H 桥电路中，多个 MMBF170LT3G 可以组合使用，实现对电机的正反转控制。

 3. 信号切换
   - 模拟信号切换：MMBF170LT3G 可用于模拟信号的高速切换，例如音频信号或传感器信号的切换，确保信号传输的稳定性和完整性。
   - 数字信号隔离：在需要隔离数字信号的场合，MOSFET 可以作为开关，防止信号干扰或短路。

 4. 保护电路
   - 过流保护：通过检测 MOSFET 的导通电阻变化，可以实现过流保护功能，防止电路因过载而损坏。
   - 负载开关：在便携式设备中，MMBF170LT3G 可以用作负载开关，控制电池与负载之间的连接，延长电池寿命并提高安全性。

 5. 消费电子
   - 智能手机和平板电脑：MOSFET 在这些设备中用于电源管理和信号切换，确保设备的高效运行和长续航。
   - 智能家居设备：如智能灯泡、智能插座等，MOSFET 可用于控制电源的通断，实现远程控制功能。

 总结
MMBF170LT3G 以其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，适用于多种应用场景，特别是在电源管理、电机驱动、信号切换和保护电路等领域表现出色。它不仅能够满足高性能需求，还能有效降低功耗，提升系统的整体效率。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MMBF170LT3G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	60pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	-
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	5 欧姆 @ 200mA，10V
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
其它名称	MMBF170LT3GOSCT
功率-最大值	225mW
包装	剪切带（CT）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	500mA （Ta）