【晶体管 - FET，MOSFET - 单_MMBF0201NLT1G】封装/厂家_MMBF0201NLT1G中文资料_价格

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型号： MMBF0201NLT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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MMBF0201NLT1G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF0201NLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF0201NLT1G价格参考。ON SemiconductorMMBF0201NLT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 20V 300mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载MMBF0201NLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBF0201NLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23MOSFET 20V 300mA N-Channel
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	300 mA
Id-连续漏极电流	300 mA
品牌	ON Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MMBF0201NLT1G-
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产品型号	MMBF0201NLT1G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	0.225 W
Pd-功率耗散	225 mW
RdsOn-Drain-SourceResistance	1 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	1 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	62 V
Vds-漏源极击穿电压	62 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	2.5 ns
下降时间	2.5 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	45pF @ 5V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	-
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1 欧姆 @ 300mA，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFETs- Power and Small Signal
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
其它名称	MMBF0201NLT1GOS MMBF0201NLT1GOS-ND MMBF0201NLT1GOSTR
典型关闭延迟时间	15 ns
功率-最大值	225mW
功率耗散	0.225 W
包装	带卷（TR）
商标	ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	1 Ohms
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	3,000
正向跨导-最小值	0.45 S
汲极/源极击穿电压	62 V
漏极连续电流	300 mA
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	300mA （Ta）
系列	MMBF0201NL
通道模式	Enhancement
配置	Single
闸/源击穿电压	+/- 20 V

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