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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBD352WT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBD352WT1G价格参考。ON SemiconductorMMBD352WT1G封装/规格:二极管 - 射频, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 7V 200mW SC-70-3 (SOT323)。您可以下载MMBD352WT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBD352WT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBD352WT1G是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的射频二极管,广泛应用于高频和射频电路中。以下是该型号的主要应用场景: 1. 射频开关 MMBD352WT1G常用于射频开关电路中,尤其是在无线通信设备、雷达系统和射频识别(RFID)系统中。其低电容和快速响应特性使其能够在高频信号之间实现高效的切换,确保信号的完整性和系统的稳定性。 2. 射频检波 在射频检波应用中,MMBD352WT1G可以将射频信号转换为直流电压或电流,用于测量信号强度或进行信号处理。这类应用常见于无线电接收器、移动通信基站等设备中。 3. 混频器 混频器是射频系统中的关键组件,用于将不同频率的信号混合在一起。MMBD352WT1G由于其非线性特性,能够有效地实现频率转换,适用于各种无线通信设备中的混频器设计。 4. 倍频器 倍频器用于生成更高频率的信号,通常通过非线性元件(如二极管)来实现。MMBD352WT1G在倍频器中表现出色,能够在保持高效的同时减少谐波失真,适用于无线通信、卫星通信等领域。 5. 调制与解调 在调制和解调电路中,MMBD352WT1G可以用于调幅(AM)、调频(FM)等调制方式的实现。它能够精确地控制信号的幅度或频率变化,确保数据传输的准确性和可靠性。 6. 保护电路 射频电路中常常需要保护敏感的前端组件免受过高的输入功率或静电放电(ESD)的损害。MMBD352WT1G可以用作箝位二极管,限制电压峰值,保护后续电路免受损坏。 7. 无线充电 在无线充电系统中,MMBD352WT1G可以用于整流电路,将接收到的交流射频信号转换为直流电,为设备充电。它的低正向压降和高效率特性使得它在无线充电应用中表现出色。 总的来说,MMBD352WT1G凭借其优异的射频性能和可靠性,在无线通信、雷达、射频识别、无线充电等多个领域有着广泛的应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE SCHOTTKY DUAL 7V SOT-323肖特基二极管与整流器 7V 225mW Dual |
产品分类 | RF 二极管分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MMBD352WT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBD352WT1G |
PCN设计/规格 | |
不同 If、F时的电阻 | - |
不同 Vr、F时的电容 | 1pF @ 0V,1MHz |
二极管类型 | 肖特基 - 1 对串联 |
产品 | Schottky Diodes |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
功率耗散(最大值) | 200mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SC-70 |
峰值反向电压 | 7 V |
工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | Silicon |
最大反向漏泄电流 | 10 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向电压下降 | 0.6 V at 0.01 A |
正向连续电流 | 0.01 A |
电压-峰值反向(最大值) | 7V |
电流-最大值 | - |
系列 | MMBD352W |
配置 | Dual Series |