【二极管 - 射频_MMBD352LT1】封装/厂家_MMBD352LT1中文资料_价格

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型号： MMBD352LT1
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBD352LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBD352LT1价格参考。ON SemiconductorMMBD352LT1封装/规格：二极管 - 射频， RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 7V 225mW SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBD352LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBD352LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的MMBD352LT1是一款射频二极管，适用于高频电路设计。该器件主要应用于射频和微波通信系统中，具有低电容、快速开关速度和高线性度的特点，使其在各种无线通信设备中有广泛的应用。

 应用场景：
1. 射频开关：MMBD352LT1常用于射频开关电路中，特别是在移动通信基站、卫星通信系统和无线局域网（WLAN）设备中。其快速的开关特性和低插入损耗使得它能够在不同频率之间快速切换，确保信号传输的高效性和稳定性。

2. 混频器：在射频接收机和发射机中，混频器是关键组件之一。MMBD352LT1可以作为混频器中的非线性元件，帮助将接收到的高频信号转换为中频信号，或反之将中频信号上变频到所需的发射频率。

3. 检波器：在射频信号处理中，检波器用于从调制的射频信号中提取出原始信息。MMBD352LT1凭借其良好的线性度和低噪声特性，能够准确地检测出微弱的射频信号，适用于无线传感器网络、雷达系统等应用。

4. 保护电路：在射频前端模块中，MMBD352LT1可以用作保护二极管，防止静电放电（ESD）和其他瞬态电压对敏感的射频集成电路（RFIC）造成损害。它还可以用于钳位电路，限制输入信号的幅度，避免过载损坏后续电路。

5. 谐波发生器：通过利用二极管的非线性特性，MMBD352LT1可以在某些应用中产生高次谐波，如频率合成器和锁相环（PLL）电路中。这些谐波信号可以进一步用于调制或倍频操作。

6. 功率控制：在一些射频功率放大器中，MMBD352LT1可以用作功率控制元件，通过调整偏置电压来调节输出功率水平，从而实现高效的功率管理。

总之，MMBD352LT1因其优异的射频性能和可靠性，在现代通信系统、无线网络设备以及各种射频相关的产品中扮演着重要角色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23
产品分类	RF 二极管
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MMBD352LT1
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 If、F时的电阻	-
不同 Vr、F时的电容	1pF @ 0V，1MHz
二极管类型	肖特基 - 1 对串联
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
其它名称	MMBD352LT1OSCT
功率耗散（最大值）	225mW
包装	剪切带（CT）
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装	10
电压-峰值反向（最大值）	7V
电流-最大值	-

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