【二极管 - 射频_MMBD301LT1G】封装/厂家_MMBD301LT1G中文资料_价格

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型号： MMBD301LT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBD301LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBD301LT1G价格参考￥0.17-￥0.17。ON SemiconductorMMBD301LT1G封装/规格：二极管 - 射频， RF Diode Schottky - Single 30V 200mW SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBD301LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBD301LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的MMBD301LT1G是一款小型表面贴装肖特基二极管，专为射频（RF）应用设计。其主要应用场景包括：

1. 射频信号整流：该二极管常用于高频信号的整流和检波，适用于无线通信设备中的接收机部分，如手机、Wi-Fi模块、蓝牙设备等。它能够有效地将接收到的高频射频信号转换为直流电压或电流信号，以便后续处理。

2. 频率混频器：在射频电路中，频率混频是常见的操作之一。MMBD301LT1G可以作为非线性元件，帮助实现两个不同频率信号的混合，生成新的频率分量，广泛应用于调制解调器、雷达系统等。

3. 保护电路：由于其快速响应特性和低正向压降，该二极管也可用作瞬态电压抑制器，保护敏感的射频前端电路免受静电放电（ESD）和其他瞬态电压尖峰的影响。这在便携式电子设备中尤为重要，以确保系统的稳定性和可靠性。

4. 功率检测：在某些射频功率放大器中，需要实时监测输出功率。MMBD301LT1G可以用作功率检测二极管，通过测量反射波形来评估功率水平，并反馈给控制系统进行调整。

5. 开关应用：得益于其低电容和快速开关特性，该二极管适合用于高速开关电路，特别是在需要高频操作的场景下，如无线充电发射端的谐振电路控制。

6. 低噪声放大器（LNA）保护：在低噪声放大器前端，使用MMBD301LT1G可以防止过大的输入信号损坏放大器，同时保持较低的插入损耗，确保信号完整性。

总之，MMBD301LT1G凭借其优异的射频性能和紧凑的封装尺寸，在各种射频通信设备和无线技术领域有着广泛的应用前景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23肖特基二极管与整流器 30V 200mW Single
产品分类	RF 二极管分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MMBD301LT1G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MMBD301LT1G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 If、F时的电阻	-
不同 Vr、F时的电容	1.5pF @ 15V，1MHz
二极管类型	肖特基 - 单
产品	Schottky Diodes
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	肖特基二极管与整流器
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
其它名称	MMBD301LT1GOSDKR
功率耗散（最大值）	200mW
包装	Digi-Reel®
商标	ON Semiconductor
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	SOT-23
峰值反向电压	30 V
工作温度范围	- 55 C to + 125 C
工厂包装数量	3000
技术	Silicon
最大反向漏泄电流	0.2 uA at 25 V
最大工作温度	+ 125 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向电压下降	0.6 V at 0.01 A
电压-峰值反向（最大值）	30V
电流-最大值	-
系列	MMBD301L
配置	Single

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