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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MM5Z12VT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MM5Z12VT1G价格参考。ON SemiconductorMM5Z12VT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 12V 500mW ±5.4% Surface Mount SOD-523。您可以下载MM5Z12VT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MM5Z12VT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MM5Z12VT1G 是由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的单个齐纳二极管。这种二极管的主要功能是在电路中提供稳压和过压保护,其应用场景非常广泛,特别是在需要精确电压参考或保护敏感电子元件的场合。 应用场景: 1. 电源稳压: MM5Z12VT1G 可以用于简单的线性稳压器设计中,作为参考电压源。它能够将输入电压稳定在 12V 左右,适用于低功耗设备的电源管理。例如,在小型传感器模块、微控制器单元(MCU)或其他低功耗电子设备中,可以使用该齐纳二极管来确保供电电压的稳定性。 2. 过压保护: 在电源输入端或信号线上,MM5Z12VT1G 可以起到过压保护的作用。当输入电压超过设定的阈值时,齐纳二极管会导通,将多余的电压分流到地,从而保护后级电路不受损坏。这种应用常见于通信接口(如 RS-232、RS-485)、传感器接口等。 3. 电压参考: 由于齐纳二极管具有稳定的反向击穿电压特性,MM5Z12VT1G 可以作为高精度的电压参考源,用于模拟电路中的基准电压生成。例如,在模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)以及精密测量电路中,齐纳二极管提供的稳定电压可以提高系统的测量精度。 4. 浪涌抑制: 在一些工业环境中,可能会遇到瞬态电压浪涌的情况。MM5Z12VT1G 可以与瞬态电压抑制二极管(TVS)配合使用,提供额外的保护层,防止浪涌电压对敏感电子设备造成损害。这类应用常见于电力系统、汽车电子等领域。 5. 信号电平调整: 在某些信号处理电路中,可能需要将输入信号电平限制在一个特定范围内。MM5Z12VT1G 可以用于钳位电路,将信号电压限制在 12V 以内,防止信号过大导致后续电路损坏或失真。 总之,MM5Z12VT1G 齐纳二极管凭借其稳定的电压特性和可靠性,广泛应用于各种需要稳压、保护和参考电压的场合,尤其适合对成本和空间有严格要求的小型化设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 12V 200MW SOD523稳压二极管 12V 200mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MM5Z12VT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MM5Z12VT1G |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-523 |
其它名称 | MM5Z12VT1GOSCT |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-79,SOD-523 |
封装/箱体 | SOD-523 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 100 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 25 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 12V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | 8 mV/K |
系列 | MM5Z12V |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 25 欧姆 |
齐纳电压 | 12 V |
齐纳电流 | 10 mA |