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MM3Z9V1T1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MM3Z9V1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MM3Z9V1T1G价格参考。ON SemiconductorMM3Z9V1T1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 9.1V 300mW ±5% Surface Mount SOD-323。您可以下载MM3Z9V1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MM3Z9V1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MM3Z9V1T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,其额定齐纳电压为 9.1V。该型号的齐纳二极管广泛应用于多种电子电路中,主要用于电压调节、参考电压生成和过压保护等场景。以下是 MM3Z9V1T1G 的主要应用场景: 1. 电压稳压 齐纳二极管的核心功能是提供稳定的电压输出。在电源电路中,MM3Z9V1T1G 可用于将输入电压钳位到 9.1V,从而为后续电路提供稳定的电压参考。例如,在低功耗设备或传感器模块中,它可以用作简单的稳压器。 2. 参考电压源 在需要精确电压参考的电路中,如运算放大器的基准电压输入或 ADC/DAC 的参考电压生成,MM3Z9V1T1G 可以提供一个稳定的 9.1V 基准电压。这在模拟信号处理和数据转换电路中非常重要。 3. 过压保护 齐纳二极管可以用来保护敏感电子元件免受过高电压的影响。当输入电压超过 9.1V 时,MM3Z9V1T1G 会导通并将电压钳位在 9.1V,从而保护后级电路。这种应用常见于电源输入端口或信号线上的瞬态电压抑制。 4. 信号电平调整 在信号处理电路中,MM3Z9V1T1G 可用于将信号电平限制在一定范围内。例如,在音频或通信电路中,它可以防止信号幅度过大而导致失真或损坏。 5. 浪涌抑制 在电力系统或工业控制设备中,齐纳二极管可用于抑制瞬态电压浪涌。MM3Z9V1T1G 能够快速响应并钳位异常电压,从而提高系统的可靠性和安全性。 6. 电池充电保护 在便携式设备的电池充电电路中,齐纳二极管可以用作电压检测元件,确保充电电压不会超过电池的安全范围。例如,在锂电池充电管理中,它可以辅助监测充电状态。 7. 温度补偿电路 齐纳二极管的齐纳电压具有一定的温度系数,通过合理设计,MM3Z9V1T1G 可用于温度补偿电路中,以抵消其他元件的温度漂移。 总之,MM3Z9V1T1G 的应用场景涵盖了从简单稳压到复杂保护电路的各种需求。由于其小型化封装和高可靠性,这款齐纳二极管非常适合消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323稳压二极管 9.1V 200mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MM3Z9V1T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MM3Z9V1T1G |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200nA @ 7V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-323 |
其它名称 | MM3Z9V1T1G-ND |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±6% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
封装/箱体 | SOD-323 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 200 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 15 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 9.1V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | 5.4 mV/K |
系列 | MM3Z9V1 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 15 欧姆 |
齐纳电压 | 9.1 V |
齐纳电流 | 10 mA |