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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MM3Z8V2T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MM3Z8V2T1G价格参考。ON SemiconductorMM3Z8V2T1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 8.2V 300mW ±6% Surface Mount SOD-323。您可以下载MM3Z8V2T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MM3Z8V2T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MM3Z8V2T1G 是一款由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的单齐纳二极管,具有8.2伏的齐纳电压。该型号广泛应用于各种电子设备中,主要用于电压调节、过压保护和信号箝位等场景。 1. 电压调节 MM3Z8V2T1G 的主要应用场景之一是电压调节。它可以在电路中提供一个稳定的参考电压,尤其是在电源管理电路中。通过将齐纳二极管反向连接到电源电压,可以确保输出电压稳定在8.2伏左右。这种特性使得它非常适合用于低压差稳压器、基准电压源等应用中。 2. 过压保护 在许多电子设备中,过压可能会损坏敏感元件。MM3Z8V2T1G 可以用作过压保护器件,当输入电压超过其齐纳电压时,二极管会导通并将多余的能量释放出去,从而保护后续电路不受高电压的影响。例如,在电源输入端或传感器接口处使用该二极管,可以有效防止瞬态高压对系统造成损害。 3. 信号箝位 在模拟信号处理电路中,有时需要限制信号的幅度,以防止信号超出允许范围。MM3Z8V2T1G 可以用作信号箝位二极管,将信号电压限制在8.2伏以内。这对于保护放大器、模数转换器(ADC)和其他敏感组件非常有用,特别是在处理快速变化或不稳定的输入信号时。 4. ESD保护 静电放电(ESD)是电子设备常见的问题之一,可能导致内部元件损坏。MM3Z8V2T1G 可以用作ESD保护器件,迅速响应并吸收静电能量,防止其进入敏感电路部分。这种保护机制对于手持设备、消费电子产品和工业控制系统的接口设计尤为重要。 5. 通信电路中的应用 在通信电路中,如RS-232、RS-485等串行通信接口,MM3Z8V2T1G 可以用作信号线上的保护元件,防止外部干扰或瞬态电压对通信链路造成影响,确保数据传输的可靠性和稳定性。 总之,MM3Z8V2T1G 齐纳二极管凭借其稳定的电压特性和快速响应能力,在多种应用场景中发挥着重要作用,特别是在需要电压调节、过压保护和信号箝位的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323稳压二极管 8.2V 200mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MM3Z8V2T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MM3Z8V2T1G |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 700nA @ 5V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-323 |
其它名称 | MM3Z8V2T1GOSDKR |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±6% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
封装/箱体 | SOD-323 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 700 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 15 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 8.2V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | 4.7 mV/K |
系列 | MM3Z8V2 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 15 欧姆 |
齐纳电压 | 8.2 V |
齐纳电流 | 10 mA |