ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > MM3Z4V7B
Datasheet下载- 型号： MM3Z4V7B
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MM3Z4V7B由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MM3Z4V7B价格参考。Fairchild SemiconductorMM3Z4V7B封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 4.7V 200mW ±2% Surface Mount SOD-323F。您可以下载MM3Z4V7B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MM3Z4V7B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MM3Z4V7B 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的单齐纳二极管，其主要应用场景包括以下几个方面： 1. 电压稳压： MM3Z4V7B 的齐纳击穿电压为 4.7V，适合用于低电压电路中的稳压功能。它可以为敏感的电子元件提供稳定的参考电压，防止因电源波动而导致设备损坏。 2. 过压保护： 在电路设计中，MM3Z4V7B 可以用作过压保护器件。当输入电压超过设定值时，齐纳二极管会导通并将多余电压泄放到地，从而保护后续电路免受高电压冲击。 3. 信号电平调整： 在信号处理电路中，齐纳二极管可用于限制信号幅度，确保信号电平在特定范围内。例如，在音频或通信电路中，它可以防止信号失真或损坏接收端器件。 4. 电源监控与复位电路： MM3Z4V7B 可用于设计简单的电源监控电路。通过与比较器或其他逻辑电路配合，可以检测电源电压是否低于或高于某个阈值，并触发复位或报警功能。 5. 温度补偿电路： 齐纳二极管的击穿电压通常会随温度变化，但 MM3Z4V7B 具有良好的温度稳定性，适用于需要温度补偿的精密电路中。 6. 浪涌抑制： 在某些应用中，齐纳二极管可以用作瞬态电压抑制器（TVS），吸收短暂的电压浪涌，保护下游电路。 特点总结： - 击穿电压：4.7V - 功率耗散：约 0.5W（具体取决于封装） - 工作温度范围广，适合工业和消费类应用 常见应用领域： - 消费电子产品（如家用电器、音响设备） - 工业控制设备 - 通信模块 - 电源管理单元 总之，MM3Z4V7B 是一款经济高效且性能可靠的齐纳二极管，适用于多种低电压稳压和保护场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD323F稳压二极管 Diode Zener 4.7V 200mW 2% |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Fairchild Semiconductor MM3Z4V7B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MM3Z4V7B |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2.7µA @ 2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | MM3Z4V7BCT |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 27.600 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 封装/箱体 | SOD-323F |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 2.7 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 75 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 电压容差 | 2 % |
| 系列 | MM3Z4 |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 75 欧姆 |
| 齐纳电压 | 4.7 V |
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