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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MM3Z36VT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MM3Z36VT1G价格参考。ON SemiconductorMM3Z36VT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 36V 300mW ±6% Surface Mount SOD-323。您可以下载MM3Z36VT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MM3Z36VT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MM3Z36VT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,其额定齐纳电压为 36V。这款器件主要应用于需要电压稳压、浪涌保护或信号电平控制的电路中。以下是其常见的应用场景: 1. 电压稳压 - MM3Z36VT1G 可用于提供稳定的参考电压。例如,在电源电路中,它可以与电阻配合使用,将输入电压稳定在 36V 左右,从而为后续电路提供可靠的电压基准。 - 应用场景包括简单的线性稳压器、电压检测电路或 ADC 输入参考电压。 2. 过压保护 - 在敏感电子设备中,该齐纳二极管可以用来吸收瞬时高电压,防止后级电路受到损害。例如,在传感器接口或通信端口上,它可以限制输入电压不超过 36V。 - 常见应用包括工业控制设备、汽车电子和家用电器中的过压保护电路。 3. 信号电平调整 - 在模拟信号处理电路中,MM3Z36VT1G 可用于钳位信号电压,确保信号幅度不会超过特定范围。例如,在音频放大器或数据传输线路中,它可以防止信号失真或损坏接收端设备。 4. 电源监控 - 该器件可用于设计简单的电源监控电路。当输入电压低于或高于齐纳电压时,可以通过比较器或其他逻辑电路触发报警或关断功能。 5. ESD 和浪涌保护 - 在一些低功率电路中,MM3Z36VT1G 可以作为初级防护元件,吸收静电放电(ESD)或瞬态电压浪涌,保护核心电路免受破坏。 特点总结: - 额定齐纳电压:36V(±5% 精度) - 最大功耗:500mW - 封装形式:SOD-123FL 小型表面贴装封装,适合高密度设计 - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C,适用于恶劣环境 综上所述,MM3Z36VT1G 主要应用于需要稳定电压、保护电路或信号调节的场景,尤其适合对成本和空间有要求的小型化设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 36V 200MW SOD323稳压二极管 36V 200mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MM3Z36VT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MM3Z36VT1G |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 25.2V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-323 |
其它名称 | MM3Z36VT1G-ND |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±6% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
封装/箱体 | SOD-323 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 50 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 90 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 36V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | 33.9 mV/K |
系列 | MM3Z36V |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 90 欧姆 |
齐纳电压 | 36 V |
齐纳电流 | 10 mA |