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  • 型号: MM3Z36VT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MM3Z36VT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MM3Z36VT1G价格参考。ON SemiconductorMM3Z36VT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 36V 300mW ±6% Surface Mount SOD-323。您可以下载MM3Z36VT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MM3Z36VT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MM3Z36VT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,其额定齐纳电压为 36V。这款器件主要应用于需要电压稳压、浪涌保护或信号电平控制的电路中。以下是其常见的应用场景:

 1. 电压稳压
   - MM3Z36VT1G 可用于提供稳定的参考电压。例如,在电源电路中,它可以与电阻配合使用,将输入电压稳定在 36V 左右,从而为后续电路提供可靠的电压基准。
   - 应用场景包括简单的线性稳压器、电压检测电路或 ADC 输入参考电压。

 2. 过压保护
   - 在敏感电子设备中,该齐纳二极管可以用来吸收瞬时高电压,防止后级电路受到损害。例如,在传感器接口或通信端口上,它可以限制输入电压不超过 36V。
   - 常见应用包括工业控制设备、汽车电子和家用电器中的过压保护电路。

 3. 信号电平调整
   - 在模拟信号处理电路中,MM3Z36VT1G 可用于钳位信号电压,确保信号幅度不会超过特定范围。例如,在音频放大器或数据传输线路中,它可以防止信号失真或损坏接收端设备。

 4. 电源监控
   - 该器件可用于设计简单的电源监控电路。当输入电压低于或高于齐纳电压时,可以通过比较器或其他逻辑电路触发报警或关断功能。

 5. ESD 和浪涌保护
   - 在一些低功率电路中,MM3Z36VT1G 可以作为初级防护元件,吸收静电放电(ESD)或瞬态电压浪涌,保护核心电路免受破坏。

 特点总结:
- 额定齐纳电压:36V(±5% 精度)
- 最大功耗:500mW
- 封装形式:SOD-123FL 小型表面贴装封装,适合高密度设计
- 工作温度范围:-55°C 至 +175°C,适用于恶劣环境

综上所述,MM3Z36VT1G 主要应用于需要稳定电压、保护电路或信号调节的场景,尤其适合对成本和空间有要求的小型化设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 36V 200MW SOD323稳压二极管 36V 200mW

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MM3Z36VT1G-

数据手册

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产品型号

MM3Z36VT1G

PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

50nA @ 25.2V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-323

其它名称

MM3Z36VT1G-ND
MM3Z36VT1GOSTR

功率-最大值

200mW

功率耗散

200 mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±6%

封装

Reel

封装/外壳

SC-76,SOD-323

封装/箱体

SOD-323

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

50 nA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

90 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

36V

电压容差

6 %

电压温度系数

33.9 mV/K

系列

MM3Z36V

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

90 欧姆

齐纳电压

36 V

齐纳电流

10 mA

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