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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MM3Z18VST1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MM3Z18VST1G价格参考¥0.06-¥0.10。ON SemiconductorMM3Z18VST1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 18V 300mW ±2% Surface Mount SOD-323。您可以下载MM3Z18VST1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MM3Z18VST1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MM3Z18VST1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款单齐纳二极管,其主要应用场景如下: 1. 电压稳压 - MM3Z18VST1G 的齐纳电压为 18V,适合用于电路中的电压稳压。它可以通过钳位功能将输出电压稳定在 18V 左右,适用于对电压要求较为稳定的场景,例如: - 电源稳压模块 - 低功耗设备的参考电压源 2. 过压保护 - 在电子电路中,该齐纳二极管可以用来防止输入或输出电压超过额定值。例如: - 保护敏感的集成电路(IC)免受过高电压的影响 - 在信号传输线路中提供过压保护 3. 信号电平调整 - 用于将输入信号的电平限制在一定范围内,确保后续电路正常工作。例如: - 音频信号处理电路 - 数据通信接口中的电平转换 4. 基准电压源 - 利用其稳定的齐纳电压特性,作为基准电压源,用于比较器、运算放大器等电路中。例如: - 模拟电路中的参考电压生成 - ADC/DAC 转换电路中的基准电压 5. 浪涌抑制 - 在瞬态电压抑制(TVS)应用中,MM3Z18VST1G 可以吸收短暂的高电压脉冲,保护下游电路。例如: - 电机驱动电路中的反电动势抑制 - 开关电源中的浪涌保护 6. 汽车电子 - 由于其稳定性,该器件常用于汽车电子系统中,例如: - 车载传感器的电压调节 - 照明系统的过压保护 特性总结: - 齐纳电压:18V(±5%) - 功率耗散:最大 400mW - 封装形式:SOD-123FL 小型表面贴装封装 - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C 这种二极管因其小型化设计和较高的可靠性,非常适合消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 18V 200MW SOD323稳压二极管 18V 200mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MM3Z18VST1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MM3Z18VST1G |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 12.6V |
产品目录页面 | |
产品种类 | Diodes- Zener |
供应商器件封装 | SOD-323 |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±2% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
封装/箱体 | SOD-323 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 50 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 45 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 18V |
电压容差 | 2 % |
电压温度系数 | 14.2 mV/K |
系列 | MM3Z18VS |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 45 欧姆 |
齐纳电压 | 17.955 V |
齐纳电流 | 10 mA |