【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_MJW21195G】封装/厂家_MJW21195G中文资料_价格

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型号： MJW21195G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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MJW21195G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MJW21195G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJW21195G价格参考￥19.05-￥19.05。ON SemiconductorMJW21195G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP 250V 16A 4MHz 200W 通孔 TO-247。您可以下载MJW21195G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJW21195G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS BIPO PNP 16A 250V TO247两极晶体管 - BJT 16A 250V 200W PNP
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJW21195G-
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产品型号	MJW21195G
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	3V @ 3.2A，16A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	20 @ 8A，5V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-247
其它名称	MJW21195GOS
功率-最大值	200W
包装	管件
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	4 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-247-3
封装/箱体	TO-247-3
工厂包装数量	30
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	200 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	16 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	30
电压-集射极击穿（最大值）	250V
电流-集电极(Ic)（最大值）	16A
电流-集电极截止（最大值）	100µA
直流集电极/BaseGainhfeMin	20
系列	MJW21195
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	250 V
集电极—基极电压VCBO	400 V
集电极—射极饱和电压	1 V
集电极连续电流	16 A
频率-跃迁	4MHz

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