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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJW21192G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJW21192G价格参考。ON SemiconductorMJW21192G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJW21192G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJW21192G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PWR NPN 4A 150V TO-247两极晶体管 - BJT 8A 150V 100W NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJW21192G- |
数据手册 | |
产品型号 | MJW21192G |
PCN过时产品 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 2V @ 1.6A,8A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 15 @ 4A,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-247 |
功率-最大值 | 125W |
包装 | 管件 |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 4 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 125 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 8 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 150V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 8A |
电流-集电极截止(最大值) | 10µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 15 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 150 V |
集电极—基极电压VCBO | 150 V |
集电极—射极饱和电压 | 2 V |
集电极连续电流 | 8 A |
频率-跃迁 | 4MHz |