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  • 型号: MJE800G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MJE800G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE800G价格参考。ON SemiconductorMJE800G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJE800G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJE800G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DARL NPN 4A 60V TO225AA达林顿晶体管 4A 60V Bipolar Power NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor MJE800G-

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产品型号

MJE800G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

2.5V @ 30mA,1.5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

750 @ 1.5A,3V

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产品种类

达林顿晶体管

供应商器件封装

TO-225AA

其它名称

MJE800GOS

功率-最大值

40W

包装

散装

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

SMD/SMT

封装

Bulk

封装/外壳

TO-225AA,TO-126-3

封装/箱体

SOIC-14

工厂包装数量

500

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 达林顿

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

4 A

最大集电极截止电流

100 uA

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4A

电流-集电极截止(最大值)

100µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

系列

MJE800

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

60 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

频率-跃迁

-

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