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MJE5852G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJE5852G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE5852G价格参考。ON SemiconductorMJE5852G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 400V 8A 80W 通孔 TO-220AB。您可以下载MJE5852G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJE5852G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJE5852G是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款NPN型双极晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号的晶体管广泛应用于多种电子电路中,尤其适合需要高电流驱动能力的场合。以下是MJE5852G的主要应用场景: 1. 功率放大器:MJE5852G具有较高的集电极电流(IC)和功率耗散能力,适用于音频放大器、射频放大器等功率放大电路中。它能够在大信号条件下提供稳定的性能,确保输出信号的质量。 2. 开关电源:在开关模式电源(SMPS)中,MJE5852G可以作为开关元件使用。其快速的开关速度和低饱和电压使其成为高效开关电源的理想选择,能够有效减少能量损耗并提高转换效率。 3. 电机控制:对于小型直流电机或步进电机的驱动电路,MJE5852G可以用于电流放大和开关控制。通过适当的驱动电路设计,它可以实现对电机转速和方向的精确控制。 4. 继电器驱动:在需要驱动电磁继电器的应用中,MJE5852G可以用作驱动级晶体管。它的高电流增益特性使得即使输入信号较弱,也能可靠地触发继电器动作。 5. 负载开关:当需要控制较大负载(如灯泡、加热元件等)时,MJE5852G可以作为一个高效的负载开关,通过微控制器或其他逻辑电路进行控制,实现负载的通断操作。 6. 保护电路:MJE5852G还可以用于过流保护、短路保护等安全电路中。通过检测电流的变化,及时切断异常电流路径,保护整个系统的安全运行。 总之,MJE5852G凭借其出色的电气性能和可靠性,在各类工业控制、消费电子、通信设备等领域有着广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PWR PNP 8A 400V TO220AB两极晶体管 - BJT 8A 400V 80W PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJE5852GSWITCHMODE™ |
数据手册 | |
产品型号 | MJE5852G |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 5V @ 3A,8A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 5 @ 5A,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | MJE5852GOS |
功率-最大值 | 80W |
包装 | 管件 |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 80 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 8 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 8A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 15 |
系列 | MJE5852 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
集电极—基极电压VCBO | 450 V |
集电极—射极饱和电压 | 2 V |
集电极连续电流 | 8 A |
频率-跃迁 | - |