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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJE5851G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE5851G价格参考。ON SemiconductorMJE5851G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJE5851G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJE5851G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PWR PNP 8A 350V TO220AB两极晶体管 - BJT 8A 350V 80W PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJE5851GSWITCHMODE™ |
数据手册 | |
产品型号 | MJE5851G |
PCN组件/产地 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 5V @ 3A,8A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 5 @ 5A,5V |
产品种类 | Transistors Bipolar- General Purpose |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | MJE5851GOS |
功率-最大值 | 80W |
包装 | 管件 |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 80 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 8 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 350V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 8A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 15 |
系列 | MJE5851 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 350 V |
集电极—基极电压VCBO | 400 V |
集电极—射极饱和电压 | 2 V |
集电极连续电流 | 8 A |
频率-跃迁 | - |