【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_MJE15035G】封装/厂家_MJE15035G中文资料_价格

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型号： MJE15035G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MJE15035G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE15035G价格参考￥3.88-￥3.88。ON SemiconductorMJE15035G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP 350V 4A 30MHz 2W 通孔 TO-220AB。您可以下载MJE15035G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJE15035G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MJE15035G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号广泛应用于多种电子电路中，以下为其主要应用场景：

1. 开关电路：MJE15035G 适合用作开关元件，在数字电路中控制其他设备的通断状态。其高电流和高电压特性使其能够驱动大功率负载，例如继电器、电机或灯泡。

2. 功率放大器：由于其较高的集电极-发射极击穿电压（Vceo）和较大的电流容量，MJE15035G 常用于音频功率放大器的设计中，提供高效的信号放大功能。

3. 电源管理：在直流-直流转换器或其他电源管理系统中，该晶体管可以用作调节器中的关键组件，帮助稳定输出电压或电流。

4. 电机控制：在小型电机驱动应用中，MJE15035G 可以用作驱动级晶体管，实现对电机速度和方向的有效控制。

5. 信号增强与缓冲：在需要增强弱电信号的应用场合下，此 BJT 能够有效地提升信号强度，同时保持低失真率。

6. 保护电路：利用其快速响应特性和良好的电气性能，可以构建过流保护、短路保护等安全机制。

总之，MJE15035G 凭借其出色的电气参数及可靠性，在工业控制、消费类电子产品以及汽车电子等领域有着广泛的用途。选择具体应用时需根据实际需求考虑散热设计及外围电路匹配等问题。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS PWR PNP 4A 350V TO220AB两极晶体管 - BJT 4A 350V 50W PNP
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJE15035G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MJE15035G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	500mV @ 100mA，1A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	10 @ 2A，5V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	MJE15035GOS
功率-最大值	2W
包装	管件
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	30 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	50 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	4 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	50
电压-集射极击穿（最大值）	350V
电流-集电极(Ic)（最大值）	4A
电流-集电极截止（最大值）	-
直流集电极/BaseGainhfeMin	100
系列	MJE15035
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	350 V
集电极—基极电压VCBO	350 V
集电极—射极饱和电压	0.5 V
集电极连续电流	4 A
频率-跃迁	30MHz

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