Datasheet下载- 型号： MJE15033G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJE15033G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE15033G价格参考。ON SemiconductorMJE15033G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJE15033G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJE15033G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJE15033G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 NPN 型双极性晶体管 (BJT)，属于单晶体管系列。它具有高电流处理能力和良好的增益特性，适用于多种功率放大和开关应用。以下是 MJE15033G 的典型应用场景： 1. 音频功率放大器 - MJE15033G 可用于设计音频功率放大器中的输出级或驱动级。 - 它能够处理较高的电流，适合推动扬声器或其他音频负载。 - 在多级放大器中，可以用作功率输出晶体管以提供足够的驱动能力。 2. 开关电源（SMPS） - 在开关电源中，MJE15033G 可用作驱动晶体管或辅助开关元件。 - 其高电流能力使其能够控制大功率负载或驱动其他功率器件（如 MOSFET 或 IGBT）。 3. 电机驱动与控制 - MJE15033G 能够驱动小型直流电机、步进电机或伺服电机。 - 它可以作为电机驱动电路中的开关元件，实现电机的启动、停止或调速功能。 4. 继电器驱动 - 该晶体管可用于驱动电磁继电器或固态继电器。 - 它能够提供足够的基极电流来确保继电器线圈可靠吸合。 5. 负载切换与保护 - 在需要控制高电流负载的应用中（如 LED 照明、加热元件等），MJE15033G 可用作负载切换晶体管。 - 它还可以集成到过流保护或短路保护电路中，增强系统的安全性。 6. 信号放大 - MJE15033G 可用于低频信号放大，例如传感器信号放大或工业控制信号处理。 - 其高增益特性有助于提高弱信号的强度，同时保持较低的失真。 7. 通信设备 - 在某些通信设备中，MJE15033G 可用作功率放大器的一部分，支持低频或中频信号的传输。 总结 MJE15033G 的主要优势在于其高电流能力、良好的增益特性和可靠性，因此非常适合需要大电流驱动或功率放大的应用场景。在实际使用中，需根据具体电路需求选择合适的偏置条件和散热措施，以确保晶体管的安全运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PWR PNP 8A 250V TO220AB两极晶体管 - BJT 8A 250V 50W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJE15033G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJE15033G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 10 @ 2A，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | MJE15033GOS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 30 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 8 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 250V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 10 |
| 系列 | MJE15033 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 250 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 250 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 8 A |
| 频率-跃迁 | 30MHz |
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