【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_MJD45H11T4G】封装/厂家_MJD45H11T4G中文资料_价格

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型号： MJD45H11T4G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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MJD45H11T4G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MJD45H11T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD45H11T4G价格参考￥1.44-￥1.44。ON SemiconductorMJD45H11T4G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Surface Mount DPAK。您可以下载MJD45H11T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD45H11T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PWR PNP 8A 80V DPAK两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD45H11T4G-
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产品型号	MJD45H11T4G
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	1V @ 400mA，8A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	40 @ 4A，1V
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产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	DPAK-3
其它名称	MJD45H11T4GOSCT
功率-最大值	1.75W
包装	剪切带（CT）
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	90 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	TO-252-3 (DPAK)
工厂包装数量	2500
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	20 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	8 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	80V
电流-集电极(Ic)（最大值）	8A
电流-集电极截止（最大值）	1µA
直流集电极/BaseGainhfeMin	60
系列	MJD45H11
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	80 V
集电极—基极电压VCBO	5 V
集电极—射极饱和电压	1 V
集电极连续电流	8 A
频率-跃迁	90MHz

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