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  • 型号: MJD45H11G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MJD45H11G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD45H11G价格参考。ON SemiconductorMJD45H11G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 8A 90MHz 1.75W 表面贴装 DPAK。您可以下载MJD45H11G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD45H11G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS POWER PNP 8A 80V DPAK两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD45H11G-

数据手册

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产品型号

MJD45H11G

PCN组件/产地

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 400mA,8A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 4A,1V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

DPAK-3

其它名称

MJD45H11G-ND
MJD45H11GOS

功率-最大值

1.75W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

90 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

TO-252-3 (DPAK)

工厂包装数量

75

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

20 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

8 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

8A

电流-集电极截止(最大值)

1µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

60

系列

MJD45H11

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

5 V

集电极—射极饱和电压

1 V

集电极连续电流

8 A

频率-跃迁

90MHz

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