ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MJD45H11G
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD45H11G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD45H11G价格参考。ON SemiconductorMJD45H11G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 8A 90MHz 1.75W 表面贴装 DPAK。您可以下载MJD45H11G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD45H11G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS POWER PNP 8A 80V DPAK两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD45H11G- |
数据手册 | |
产品型号 | MJD45H11G |
PCN组件/产地 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 400mA,8A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 4A,1V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
其它名称 | MJD45H11G-ND |
功率-最大值 | 1.75W |
包装 | 管件 |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 90 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 20 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 8 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 8A |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
系列 | MJD45H11 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
集电极—基极电压VCBO | 5 V |
集电极—射极饱和电压 | 1 V |
集电极连续电流 | 8 A |
频率-跃迁 | 90MHz |