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  • 型号: MJD42CT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MJD42CT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD42CT4G价格参考。ON SemiconductorMJD42CT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJD42CT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD42CT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PWR PNP 6A 100V DPAK两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD42CT4G-

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产品型号

MJD42CT4G

PCN组件/产地

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 600mA,6A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

15 @ 3A,4V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

DPAK-3

其它名称

MJD42CT4GOSCT

功率-最大值

1.75W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

3 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

TO-252-3 (DPAK)

工厂包装数量

2500

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

20 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

6 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

6A

电流-集电极截止(最大值)

50µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

30

系列

MJD42C

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极—基极电压VCBO

100 V

集电极—射极饱和电压

1.5 V

集电极连续电流

6 A

频率-跃迁

3MHz

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