ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MJD41CT4G
Datasheet下载- 型号： MJD41CT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD41CT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD41CT4G价格参考。ON SemiconductorMJD41CT4G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 6A 3MHz 1.75W 表面贴装 DPAK。您可以下载MJD41CT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD41CT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD41CT4G是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的晶体管 - 双极 (BJT) - 单类型器件。该型号属于NPN型晶体管，具有较高的电流增益和较低的饱和电压，适用于多种应用场景。 应用场景： 1. 开关电路： MJD41CT4G常用于开关电路中，作为开关元件控制负载的通断。其高电流承载能力（最大集电极电流可达2A）使其适合驱动较大功率的负载，如继电器、电机等。在这些应用中，晶体管工作在饱和区和截止区之间，实现高效的开关功能。 2. 线性放大器： 该晶体管也可用于线性放大电路中，特别是在音频放大器、信号放大器等需要高增益和低失真的场合。MJD41CT4G的高电流增益（典型值为50-300）使得它能够在较小的基极电流下提供较大的集电极电流，从而实现有效的信号放大。 3. 电源管理： 在电源管理系统中，MJD41CT4G可用于稳压电路或电流调节电路。例如，在线性稳压器中，它可以用作调整管，通过反馈机制保持输出电压的稳定。此外，它还可以用于过流保护电路，防止负载电流过大损坏其他元件。 4. 驱动电路： 由于其较高的电流承载能力和较低的饱和电压，MJD41CT4G非常适合用于驱动LED、小型电机、电磁阀等设备。它可以作为驱动级，将微控制器或其他控制单元发出的弱电信号转换为足够强的电流来驱动负载。 5. 脉宽调制 (PWM) 控制： 在PWM控制应用中，MJD41CT4G可以快速响应PWM信号的变化，实现对负载的精确控制。例如，在LED调光、电机速度控制等应用中，它能够根据PWM占空比的变化调整输出电流或电压。 6. 温度传感器： 晶体管的基极-发射极电压（Vbe）随温度变化而变化，因此MJD41CT4G也可以用作简单的温度传感器。通过测量Vbe的变化，可以推算出环境温度的变化，适用于一些对温度敏感的应用场合。 总之，MJD41CT4G凭借其优良的电气性能和广泛的应用范围，成为许多电子设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PWR NPN 6A 100V DPAK两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD41CT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD41CT4G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 600mA，6A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 3A，4V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MJD41CT4GOSCT |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 6 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 系列 | MJD41C |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
| 集电极连续电流 | 6 A |
| 频率-跃迁 | 3MHz |
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