Datasheet下载- 型号： MJD122-1
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD122-1由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD122-1价格参考￥2.30-￥2.30。STMicroelectronicsMJD122-1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJD122-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD122-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DARL NPN 100V 8A TO252达林顿晶体管 NPN PWR Darlington Int Anti Collector |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,STMicroelectronics MJD122-1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD122-1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 4V @ 80mA，8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 4A，4V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-251 |
| 功率-最大值 | 20W |
| 功率耗散 | 20 W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 封装/箱体 | TO-252-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最大集电极截止电流 | 10 uA |
| 标准包装 | 75 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 10µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | MJD122 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 频率-跃迁 | - |
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