ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MJD112T4G
Datasheet下载- 型号： MJD112T4G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD112T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD112T4G价格参考。ON SemiconductorMJD112T4G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 100V 2A 25MHz 20W 表面贴装 DPAK。您可以下载MJD112T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD112T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD112T4G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 类型的功率晶体管。该器件广泛应用于需要高效电流放大和开关功能的电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源：MJD112T4G 常用于开关电源中的驱动电路，能够快速切换状态以控制电压输出。其高电流处理能力使其适合在大功率场景下工作。 2. 电机控制：该晶体管可用于小型直流电机的启动、停止及速度调节。通过 PWM（脉宽调制）技术，可以实现对电机转速和平滑启停的精确控制。 3. 音频功放：作为音频功率放大器的一部分，MJD112T4G 可以提供足够的电流来驱动扬声器，确保声音信号不失真地传输到负载。 4. 继电器驱动：在需要控制机械式或固态继电器的应用中，这款晶体管可以用作驱动器，将微控制器发出的小电流信号转换为足够大的电流来激活继电器线圈。 5. 负载切换：适用于各种需要频繁开启/关闭高电流负载的情况，如 LED 照明系统、加热元件等。 6. 保护电路：在过流保护和短路保护电路中，MJD112T4G 能够检测异常情况并迅速切断电路，从而保护其他敏感组件免受损害。 7. 工业自动化设备：例如 PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口以及机器人控制系统中，此晶体管可用来处理复杂的输入输出任务。 总之，MJD112T4G 凭借其出色的电气特性，在众多领域内发挥着重要作用，尤其是在那些要求高性能、高可靠性的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor MJD112T4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD112T4G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 3V @ 40mA，4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 2A，3V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MJD112T4GOSDKR |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 功率耗散 | 20 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最大集电极截止电流 | 20 uA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 20µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200, 500, 1000 |
| 系列 | MJD112 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 25MHz |
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