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Datasheet下载- 型号： MJD112RLG
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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MJD112RLG产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD112RLG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD112RLG价格参考。ON SemiconductorMJD112RLG封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 100V 2A 25MHz 1.75W 表面贴装 DPAK。您可以下载MJD112RLG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD112RLG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD112RLG是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于NPN型功率晶体管。该器件适用于多种电子电路设计场景，主要用作开关或放大元件。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 - MJD112RLG可应用于直流电机驱动、继电器控制和负载切换等场合。其高电流处理能力（最大集电极电流可达15A）使其适合用于需要大电流驱动的电源开关电路。 - 在线性稳压器中作为功率输出级，帮助调节输出电压并提供稳定的电流。 2. 音频放大 - 由于其良好的增益特性和功率处理能力，MJD112RLG可用于音频功率放大器的设计，特别是在中低功率音频系统中，如扬声器驱动或耳机放大器。 3. 电机控制 - 在小型直流电机控制应用中，MJD112RLG可以用作驱动晶体管，实现对电机速度或方向的控制。 - 配合其他元件，可以构建H桥电路以实现双向电机控制。 4. 信号放大 - 该晶体管也可用于信号放大的场景，例如传感器信号放大或射频（RF）前端的低噪声放大。 5. 保护电路 - 在过流保护电路中，MJD112RLG可用作开关元件，当检测到过载时切断电流路径，从而保护下游设备。 特性总结 MJD112RLG具有较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO = 80V）和较低的饱和电压，适合在中高压环境下工作。同时，其TO-220封装形式提供了良好的散热性能，便于在功率应用中保持稳定运行。 需要注意的是，在实际应用中，应根据具体电路需求选择合适的偏置电阻、限流电阻以及散热措施，以确保晶体管的安全和高效运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor MJD112RLG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD112RLG |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 3V @ 40mA，4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 2A，3V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MJD112RLGOSDKR |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 功率耗散 | 20 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
| 工厂包装数量 | 1800 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最大集电极截止电流 | 20 uA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 20µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200, 500, 1000 |
| 系列 | MJD112 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 25MHz |
