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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD112-1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD112-1G价格参考。ON SemiconductorMJD112-1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 100V 2A 25MHz 1.75W 通孔 I-PAK。您可以下载MJD112-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD112-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD112-1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该型号的应用场景主要包括以下方面: 1. 开关应用: MJD112-1G 适用于各种开关电路,例如继电器驱动、电磁阀控制和电机驱动等。其较高的电流处理能力(集电极电流可达 5A)使其能够可靠地控制中高功率负载。 2. 功率放大器: 在音频设备中,MJD112-1G 可用于功率放大器的输出级,提供足够的电流驱动扬声器或其他音频负载,确保声音信号的高质量输出。 3. 电源管理: 该晶体管可以用于线性稳压器或开关电源中的控制元件,帮助调节电压和电流,确保系统稳定运行。 4. 信号放大: 在需要放大弱电信号的场景中(如传感器信号放大),MJD112-1G 可以作为放大器的核心元件,实现电流增益和电压增益。 5. 保护电路: 由于其良好的耐受能力和稳定性,MJD112-1G 可用于过流保护、短路保护等电路中,为其他敏感元件提供安全保障。 6. 汽车电子: 在汽车电子领域,该晶体管可用于车灯控制、雨刷电机驱动、风扇控制等场合,适应较宽的工作温度范围(-55°C 至 +150°C)。 7. 工业控制: 在工业自动化设备中,MJD112-1G 可用于控制步进电机、伺服电机以及其他执行机构,满足工业环境下的高可靠性要求。 总结来说,MJD112-1G 凭借其大电流承载能力、高耐压特性以及稳定的性能表现,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及通信设备等领域,适合需要高效功率转换和信号放大的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS DARL NPN 2A 100V STR IPAK |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MJD112-1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3V @ 40mA,4A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 1000 @ 2A,3V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | MJD112-1GOS |
功率-最大值 | 1.75W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
标准包装 | 75 |
电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
电流-集电极截止(最大值) | 20µA |
频率-跃迁 | 25MHz |