ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MJB45H11G
Datasheet下载- 型号： MJB45H11G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJB45H11G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJB45H11G价格参考。ON SemiconductorMJB45H11G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 10A 40MHz 2W 表面贴装 D2PAK。您可以下载MJB45H11G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJB45H11G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJB45H11G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。它是一种大功率 NPN 晶体管，广泛应用于需要高电流驱动和良好开关性能的场景。以下是 MJB45H11G 的主要应用场景： 1. 电源管理 - 该晶体管可用于开关电源（SMPS）、线性稳压器等电源管理系统中，作为开关或放大元件。 - 在 DC-DC 转换器中，MJB45H11G 可用于控制电流流动，实现高效的电压转换。 2. 电机控制 - MJB45H11G 适合用于驱动中小型直流电机或步进电机，能够承受较高的电流负载。 - 在电机启动、停止或调速过程中，它可作为功率放大器或开关器件。 3. 音频放大 - 由于其良好的电流处理能力和增益特性，MJB45H11G 可用于音频功率放大器中，提供高输出功率以驱动扬声器。 - 它适用于需要高效率和低失真的音频应用。 4. 继电器驱动 - 在工业自动化或家用电器中，MJB45H11G 可用于驱动电磁继电器或接触器，确保可靠的切换功能。 - 其高电流承载能力使其能够在重载条件下稳定工作。 5. 负载开关 - 在需要频繁开关高电流负载的应用中，如 LED 照明或加热元件控制，MJB45H11G 可用作高效的开关元件。 6. 保护电路 - 该晶体管可用于过流保护或短路保护电路中，通过快速响应和切断电流来保护下游设备。 特性总结： MJB45H11G 的典型参数包括高集电极电流（可达约 40A）、高功率耗散（最高约 180W）以及良好的增益特性，这使得它非常适合于需要高功率和高可靠性的应用场合。同时，其耐压能力（集射极间电压约为 120V）也使其适用于多种高压环境下的电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PWR PNP 10A 80V D2PAK两极晶体管 - BJT 8A 80V 50W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJB45H11G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJB45H11G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 400mA，8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 4A，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | MJB45H11G-ND |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 40 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | TO-263-3 (D2PAK) |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 10A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 10µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | MJB45H11 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 5 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 10 A |
| 频率-跃迁 | 40MHz |
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