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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJB44H11T4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJB44H11T4价格参考。STMicroelectronicsMJB44H11T4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJB44H11T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJB44H11T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PWR NPN 10A 80V D2PAK-3开关晶体管 - 偏压电阻器 80V Low Voltage NPN 5V VEBO 10A IC 50W |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,STMicroelectronics MJB44H11T4- |
数据手册 | |
产品型号 | MJB44H11T4 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 400mA,8A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 4A,1V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 497-12849-1 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC84/PF253193?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 50W |
功率耗散 | 50 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK |
峰值直流集电极电流 | 20 A |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 10A |
电流-集电极截止(最大值) | 10µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 A |
系列 | MJB44H11T4 |
集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
集电极连续电流 | 10 A |
频率-跃迁 | - |