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MJ11033G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJ11033G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJ11033G价格参考。ON SemiconductorMJ11033G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP - 达林顿 120V 50A 300W 通孔 TO-3。您可以下载MJ11033G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJ11033G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS DARL PNP 50A 120V TO3达林顿晶体管 50A 120V Bipolar Power PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor MJ11033G- |
数据手册 | |
产品型号 | MJ11033G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3.5V @ 500mA,50A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 1000 @ 25A,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 达林顿晶体管 |
供应商器件封装 | TO-3 |
其它名称 | MJ11033GOS |
功率-最大值 | 300W |
功率耗散 | 300 W |
包装 | 托盘 |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tray |
封装/外壳 | TO-204AE |
封装/箱体 | TO-204-2 (TO-3) |
工厂包装数量 | 100 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 50 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 100 |
电压-集射极击穿(最大值) | 120V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 50A |
电流-集电极截止(最大值) | 2mA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 400, 1000 |
系列 | MJ11033 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 120 V |
集电极—基极电压VCBO | 120 V |
集电极连续电流 | 50 A |
频率-跃迁 | - |