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Datasheet下载- 型号： MGSF2N02ELT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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MGSF2N02ELT1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MGSF2N02ELT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGSF2N02ELT1G价格参考￥1.12-￥2.66。ON SemiconductorMGSF2N02ELT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 20V 2.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MGSF2N02ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MGSF2N02ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23MOSFET NFET SOT23 20V 2.8A 85mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.8 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MGSF2N02ELT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MGSF2N02ELT1G |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 85 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 85 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 95 ns |
| 下降时间 | 95 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.5nC @ 4V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MGSF2N02ELT1GOSTR |
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 功率耗散 | 1.25 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 85 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 2.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Ta） |
| 系列 | MGSF2N02EL |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 8 V |
