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Datasheet下载- 型号： MGSF1N02LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MGSF1N02LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGSF1N02LT1G价格参考￥0.92-￥1.08。ON SemiconductorMGSF1N02LT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 750mA（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载MGSF1N02LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MGSF1N02LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MGSF1N02LT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的 650V 耐雪崩碳化硅 (SiC)肖特基二极管，具有低正向压降和快速开关特性。其应用场景广泛，特别是在需要高效、高频率和高温性能的电力电子设备中。 1. 电源管理 MGSF1N02LT1G 适用于各种电源管理应用，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。它能够有效降低开关损耗，提高转换效率，特别适合用于服务器、通信基站、工业电源等对效率要求较高的场合。由于 SiC 材料的特性，该二极管能够在高温环境下保持稳定的性能，减少了散热设计的复杂性。 2. 太阳能逆变器 在太阳能光伏系统中，MGSF1N02LT1G 可以用作逆变器中的关键元件。其快速的开关速度和低反向恢复电荷特性，有助于减少能量损失，提升系统的整体效率。此外，SiC 器件的耐高温特性使得它能够在恶劣的户外环境中稳定工作，延长了系统的使用寿命。 3. 电动汽车（EV）充电系统 随着电动汽车市场的快速发展，高效的充电系统变得尤为重要。MGSF1N02LT1G 可以应用于车载充电器（OBC）和直流快充站中。其高效的开关性能和低损耗特性，能够显著提高充电效率，缩短充电时间，并且在高温环境下依然保持可靠的工作状态。 4. 电机驱动 在工业自动化和家电领域，MGSF1N02LT1G 可用于电机驱动电路中。它能够承受高电压和大电流，同时具备快速的开关速度，减少了电磁干扰（EMI），提高了系统的响应速度和稳定性。特别是在变频器和伺服控制系统中，SiC 器件的优势更加明显。 5. 不间断电源（UPS） MGSF1N02LT1G 还可以应用于 UPS 系统中，确保在市电中断时能够快速切换到备用电源，提供持续稳定的电力供应。其高效能和可靠性使得 UPS 系统能够在关键时刻发挥重要作用，保护关键设备免受电力波动的影响。 总之，MGSF1N02LT1G 的高性能和可靠性使其成为众多电力电子应用的理想选择，尤其是在需要高效能、高频率和高温工作的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23MOSFET NFET SOT23 20V 75mA 90mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 750 mA |
| Id-连续漏极电流 | 750 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MGSF1N02LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MGSF1N02LT1G |
| Pd-PowerDissipation | 0.4 W |
| Pd-功率耗散 | 400 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 1 ns |
| 下降时间 | 1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 125pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 1.2A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MGSF1N02LT1GOS |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 功率耗散 | 0.4 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 90 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 750 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 750mA （Ta） |
| 系列 | MGSF1N02L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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