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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MGSF1N02LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGSF1N02LT1G价格参考¥0.92-¥1.08。ON SemiconductorMGSF1N02LT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 750mA(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)。您可以下载MGSF1N02LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MGSF1N02LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MGSF1N02LT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的 650V 耐雪崩碳化硅 (SiC)肖特基二极管,具有低正向压降和快速开关特性。其应用场景广泛,特别是在需要高效、高频率和高温性能的电力电子设备中。 1. 电源管理 MGSF1N02LT1G 适用于各种电源管理应用,如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。它能够有效降低开关损耗,提高转换效率,特别适合用于服务器、通信基站、工业电源等对效率要求较高的场合。由于 SiC 材料的特性,该二极管能够在高温环境下保持稳定的性能,减少了散热设计的复杂性。 2. 太阳能逆变器 在太阳能光伏系统中,MGSF1N02LT1G 可以用作逆变器中的关键元件。其快速的开关速度和低反向恢复电荷特性,有助于减少能量损失,提升系统的整体效率。此外,SiC 器件的耐高温特性使得它能够在恶劣的户外环境中稳定工作,延长了系统的使用寿命。 3. 电动汽车(EV)充电系统 随着电动汽车市场的快速发展,高效的充电系统变得尤为重要。MGSF1N02LT1G 可以应用于车载充电器(OBC)和直流快充站中。其高效的开关性能和低损耗特性,能够显著提高充电效率,缩短充电时间,并且在高温环境下依然保持可靠的工作状态。 4. 电机驱动 在工业自动化和家电领域,MGSF1N02LT1G 可用于电机驱动电路中。它能够承受高电压和大电流,同时具备快速的开关速度,减少了电磁干扰(EMI),提高了系统的响应速度和稳定性。特别是在变频器和伺服控制系统中,SiC 器件的优势更加明显。 5. 不间断电源(UPS) MGSF1N02LT1G 还可以应用于 UPS 系统中,确保在市电中断时能够快速切换到备用电源,提供持续稳定的电力供应。其高效能和可靠性使得 UPS 系统能够在关键时刻发挥重要作用,保护关键设备免受电力波动的影响。 总之,MGSF1N02LT1G 的高性能和可靠性使其成为众多电力电子应用的理想选择,尤其是在需要高效能、高频率和高温工作的场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23MOSFET NFET SOT23 20V 75mA 90mOhm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 750 mA |
Id-连续漏极电流 | 750 mA |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MGSF1N02LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MGSF1N02LT1G |
Pd-PowerDissipation | 0.4 W |
Pd-功率耗散 | 400 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 1 ns |
下降时间 | 1 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 125pF @ 5V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 1.2A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MGSF1N02LT1GOS |
典型关闭延迟时间 | 16 ns |
功率-最大值 | 400mW |
功率耗散 | 0.4 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 90 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
汲极/源极击穿电压 | 20 V |
漏极连续电流 | 750 mA |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 750mA (Ta) |
系列 | MGSF1N02L |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |