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Datasheet下载- 型号： MGSF1N02LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MGSF1N02LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGSF1N02LT1G价格参考￥0.92-￥1.08。ON SemiconductorMGSF1N02LT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 750mA（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载MGSF1N02LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MGSF1N02LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MGSF1N02LT1G 是由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）制造的单通道 N 沟道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款器件具有多种应用场景，尤其适用于需要高效、低损耗和高性能开关操作的电路设计。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 MGSF1N02LT1G 常用于电源管理电路中，如 DC-DC 转换器、线性稳压器等。它能够提供高效的开关性能，降低功耗并提高系统的整体效率。该器件的低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高电流应用中表现出色，减少了发热和能量损失。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，MOSFET 是关键元件之一。MGSF1N02LT1G 可以用于控制电机的启动、停止和调速。由于其快速的开关速度和低损耗特性，它可以有效减少电机驱动电路中的能量浪费，同时提高系统的响应速度和稳定性。 3. 负载开关 负载开关是许多电子设备中的重要组成部分，尤其是在电池供电的便携式设备中。MGSF1N02LT1G 可以作为负载开关使用，通过控制电源的通断来保护电路免受过流、短路等故障的影响。其低导通电阻有助于减少电压降，确保负载获得稳定的电源供应。 4. 逆变器和变频器 在逆变器和变频器中，MOSFET 用于将直流电转换为交流电或改变频率。MGSF1N02LT1G 的高频开关能力和低损耗特性使其成为这些应用的理想选择。它可以有效地处理高功率输出，同时保持较低的温度上升，延长设备的使用寿命。 5. 电池管理系统 (BMS) 在电池管理系统中，MOSFET 用于控制电池的充放电过程。MGSF1N02LT1G 可以帮助实现精确的电流控制和保护功能，防止电池过充、过放和过热等问题。其低导通电阻有助于减少充电和放电过程中的能量损失，提高电池的整体性能。 6. 汽车电子 在汽车电子系统中，MOSFET 广泛应用于发动机控制单元 (ECU)、电动助力转向 (EPS) 和车身控制系统等。MGSF1N02LT1G 的高温工作能力和可靠性使其能够在严苛的汽车环境中稳定运行，满足汽车行业对安全性和可靠性的严格要求。 总之，MGSF1N02LT1G 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在需要高效开关和低损耗的场景下表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23MOSFET NFET SOT23 20V 75mA 90mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 750 mA |
| Id-连续漏极电流 | 750 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MGSF1N02LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MGSF1N02LT1G |
| Pd-PowerDissipation | 0.4 W |
| Pd-功率耗散 | 400 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 1 ns |
| 下降时间 | 1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 125pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 1.2A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MGSF1N02LT1GOS |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 功率耗散 | 0.4 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 90 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 750 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 750mA （Ta） |
| 系列 | MGSF1N02L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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