Datasheet下载- 型号： MGA-631P8-BLKG
- 制造商： Avago Technologies
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MGA-631P8-BLKG由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGA-631P8-BLKG价格参考。Avago TechnologiesMGA-631P8-BLKG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MGA-631P8-BLKG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MGA-631P8-BLKG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 射频/IF 和 RFID半导体 |
| 描述 | IC RF AMP GAAS MMIC 1.6GHZ 8TSLP射频JFET晶体管 GaAs RFIC LNA |
| 产品分类 | RF 放大器分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 54 mA |
| Id-连续漏极电流 | 54 mA |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 产品手册 | http://www.avagotech.com/search/results.jsp?src=&siteCriteria=MGA631P8 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies MGA-631P8-BLKG- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-0174EN |
| P1dB | 17.5dBm（56.2mW） |
| 产品型号 | MGA-631P8-BLKG |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 550 mW |
| Pd-功率耗散 | 550 mW |
| RF类型 | CDMA，GPS，GSM，ISM |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 5.5 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 5.5 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | RF-Amplifier |
| 供应商器件封装 | 42-CSP （5.0x4.6） |
| 其它名称 | 516-2447 |
| 功率耗散 | 550 mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数 | 0.53dB |
| 增益 | 17.5dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 8-WFDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | TSLP-8 |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管类型 | pHEMT |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 100 |
| 测试频率 | 900MHz |
| 漏极连续电流 | 54 mA |
| 漏源电压VDS | 5.5 V |
| 电压-电源 | 4V |
| 电流-电源 | 54mA |
| 类型 | GaAs pHEMT |
| 频率 | 400MHz ~ 1.5GHz |
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