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Datasheet下载- 型号： MEO550-02DA
- 制造商： IXYS
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MEO550-02DA产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MEO550-02DA由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MEO550-02DA价格参考。IXYSMEO550-02DA封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， 标准 底座安装 二极管 200V 582A Y4-M6。您可以下载MEO550-02DA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MEO550-02DA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的MEO550-02DA是一款单个整流二极管，广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源转换：该二极管常用于AC-DC转换器中，将交流电转换为直流电。例如，在开关电源（SMPS）中，MEO550-02DA可以作为主整流器，处理较高的电流和电压，确保输出稳定的直流电。 2. 电机驱动：在工业自动化和电机控制系统中，MEO550-02DA可用于整流电路，将电网提供的交流电转换为电机所需的直流电。它能够承受较大的电流波动和瞬态电压，保证电机的稳定运行。 3. 太阳能逆变器：在光伏系统中，MEO550-02DA可以用于最大功率点跟踪（MPPT）控制器或逆变器中的整流部分。它能有效地将太阳能电池板产生的直流电转换为适合并网的交流电，提高系统的整体效率。 4. 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，MEO550-02DA可用于充电电路和逆变电路的整流部分。它可以确保电池在市电正常时被有效充电，并在市电中断时提供稳定的直流电给逆变器，保障负载的持续供电。 5. 通信设备：在基站、服务器等通信设备中，MEO550-02DA可用于电源模块中的整流电路，确保设备在各种工作条件下都能获得稳定的电源供应。 6. 电动汽车（EV）充电站：在电动汽车充电站中，MEO550-02DA可以用于充电桩的整流电路，将电网提供的交流电转换为直流电，快速为电动汽车充电。 7. 焊接设备：在焊接机中，MEO550-02DA可用于整流电路，将交流电转换为直流电，以满足不同焊接工艺的需求，如TIG焊、MIG焊等。 总的来说，MEO550-02DA凭借其高可靠性和优良的电气特性，适用于多种需要高效、稳定整流的场合，特别是在对电流和电压要求较高的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE FRED 200V 582A 150NS分立半导体模块 FRED Module 200V 582A 150NS |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 模块分离式半导体 |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 分立半导体模块,IXYS MEO550-02DA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MEO550-02DA |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.25V @ 520A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5mA @ 200V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 二极管配置 | 单路 |
| 产品 | Power Semiconductor Modules |
| 产品种类 | 分立半导体模块 |
| 供应商器件封装 | Y4-M6 |
| 其它名称 | MEO55002DA |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | 200ns |
| 反向电压 | 200 V |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | Screw |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | Y4-M6 |
| 封装/箱体 | Y4-M6 |
| 工作温度 | - 40 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 6 |
| 标准包装 | 6 |
| 正向电压下降 | 1.08 V |
| 热阻 | * |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 200V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 582A |
| 类型 | FRED & HiPerFRED Modules |
| 系列 | MEO550 |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
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Fast Recovery MEO 550-02 DA V = 200 V RRM Epitaxial Diode I = 582 A FAVM t = 150 ns (FRED) Module rr 3 1 3 V V Type RSM RRM 1 V V 200 200 MEO 550-02DA Symbol Test Conditions Maximum Ratings I T =75(cid:1)C 822 A Features IFRMS(cid:255)(cid:255)(cid:2) TC =75(cid:1)C; rectangular, d = 0.5 582 A (cid:1) International standard package IFAVM tC < 10 (cid:2)s; rep. rating, pulse width limited by T 2880 A with DCB ceramic base plate FRM P VJM I T = 45(cid:1)C; t = 10 ms (50 Hz), sine 4800 A (cid:1) Planar passivated chips FSM VJ t = 8.3 ms(60 Hz), sine 5280 A (cid:1) Short recovery time T = 150(cid:1)C; t = 10 ms (50 Hz), sine 4320 A (cid:1) Low switching losses VJ t = 8.3 ms(60 Hz), sine 4750 A (cid:1) Soft recovery behaviour I2t T = 45(cid:1)C; t = 10 ms (50 Hz), sine 115200 A2s (cid:1) Isolation voltage 3600 V~ VJ t = 8.3 ms(60 Hz), sine 117100 A2s (cid:1) UL registered E 72873 T = 150(cid:1)C; t = 10 ms (50 Hz), sine 93300 A2s Applications VJ t = 8.3 ms(60 Hz), sine 94800 A2s (cid:1) Antiparallel diode for high frequency T -40...+150 (cid:1)C switching devices TTVsStJmgax -40...+112105 (cid:1)(cid:1)CC (cid:1) Fanrede m wohtoere lcinogn tdroiol dceir cinu ictsonverters P T = 25(cid:1)C 1750 W (cid:1) Inductive heating and melting tot C V 50/60 Hz, RMS t = 1 min 3000 V~ (cid:1) Uninterruptible power supplies (UPS) ISOL I (cid:3) 1 mA t = 1 s 3600 V~ (cid:1) Ultrasonic cleaners and welders ISOL Md Mounting torque (M6) 2.25-2.75/20-25Nm/lb.in. Advantages Terminal connection torque (M6) 4.50-5.50/40-48Nm/lb.in. (cid:1) High reliability circuit operation dS Creep distance on surface 12.7 mm (cid:1) Low voltage peaks for reduced dA Strike distance through air 9.6 mm protection circuits a Maximum allowable acceleration 50 m/s2 (cid:1) Low noise switching Weight 150 g (cid:1) Low losses Symbol Test Conditions Characteristic Values (per diode) Dimensions in mm (1 mm = 0.0394") typ. max. I T = 25(cid:1)C V = V 5 mA R TVJ = 25(cid:1)C VR = 0.R8R M• V 4 mA TVJ = 125(cid:1)C VR = 0.8 (cid:127)VRRM 160 mA VJ R RRM V I = 3 0 0 A; T =125(cid:1)C 0.84 V F F TVJ = 25(cid:1)C 1.10 V I = 5 2 0 A; TVJ =125(cid:1)C 1.08 V F TVJ = 25(cid:1)C 1.25 V VJ V For power-loss calculations only 0.52 V rT0 1.06 m(cid:4) T R DC current 0.114 K/W thJH R DC current 0.071 K/W thJC t I = 5 0 0 A T = 100(cid:1)C 150 200 ns Irr VF = 1 0 0 V TVJ = 25(cid:1)C 9 A RM - d R i / d t = 2 0 0 A/(cid:2)s TVJ = 100(cid:1)C 15 A VJ (cid:2) I rating includes reverse blocking losses at T , V = 0.6 V , duty cycle d = 0.5 FAVM VJM R RRM Data according to IEC 60747 1 IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions 1 9 © 2000 IXYS All rights reserved 1 - 2
MEO 550-02 DA 800 3.0 60 7A00 mC TVRV J== 110000V°C A TVVRJ == 110000°VC 2.5 50 IF600 Qr 2.0 IIIFF=== 1521570050AAA IRM40 IIF== 1515000AA 500 F F I= 275A F T =125°C 400 VJ 1.5 30 T = 25°C VJ 300 1.0 20 200 0.5 10 100 0 0.0 0 0.0 0.5 1.0 V 1.5 100 A/ms 1000 0 200 400 600 A8/0m0s 1000 V -di/dt -di/dt F F F Fig. 1 Forward current I versus Fig. 2 Typ. reverse recovery Fig. 3 Typ. peak reverse current I F RM max. voltage drop V per leg charge Q versus -di /dt versus -di /dt F r F F 2.0 220 60 6 T = 100°C T = 100°C ns VVJ= 100V IV J = 550A µs R F 200 V 5 V V 1.5 t FR FR t rr fr Kf 180 40 4 t fr 1.0 160 3 I I=1100A RM F I= 550A F 140 I= 275A 20 2 F 0.5 Q r 120 1 0.0 100 0 0 0 40 80 120 °C 160 0 200 400 600 A8/0m0s 1000 0 200 400 600 A80/m0s 1000 T -di/dt di/dt VJ F F Fig. 4 Dynamic parameters Q, I Fig. 5 Typ. recovery time t Fig. 6 Typ. peak forward voltage V r RM rr FR versus junction temperature T versus -di /dt and t versus di /dt VJ F fr F 1 Constants for Z calculation: thJS K/W i R (K/W) t (s) thi i 1 0.001 0.08 0.1 2 0.004 0.024 ZZ 3 0.027 0.112 tthhJJHS 4 0.082 0.464 0.01 MEO 550-02 0.001 0.001 0.01 0.1 1 s 10 t Fig. 7 Transient thermal impedance junction to heatsink © 2000 IXYS All rights reserved 2 - 2
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