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Datasheet下载- 型号： MD2001FX
- 制造商： STMicroelectronics
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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MD2001FX产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MD2001FX由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MD2001FX价格参考。STMicroelectronicsMD2001FX封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 700V 12A 58W 通孔 ISOWATT-218FX。您可以下载MD2001FX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MD2001FX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 700V CRT ISOWATT218FX两极晶体管 - BJT NPN Power Transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics MD2001FX- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MD2001FX |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.8V @ 1.5A，6A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 4.5 @ 6A，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | ISOWATT-218FX |
| 其它名称 | 497-8756-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC94/PF146590?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 58W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 9 V |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 增益带宽产品fT | 64 kHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | ISOWATT218FX |
| 封装/箱体 | ISOWATT-218FX |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 58 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 18 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 700V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 12A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 200µA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 7 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 4.5 |
| 系列 | MD2001FX |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 700 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 9 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
| 集电极连续电流 | 12 A |
| 频率-跃迁 | - |
