Datasheet下载- 型号： MCR12DSN-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCR12DSN-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCR12DSN-1G价格参考。ON SemiconductorMCR12DSN-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCR12DSN-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCR12DSN-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | THYRISTOR SCR 12A 800V IPAKSCR 800V 12A |
| 产品分类 | SCR - 单个分离式半导体 |
| GateTriggerCurrent-Igt | 0.2 mA |
| GateTriggerVoltage-Vgt | 1 V |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体闸流管,SCR,ON Semiconductor MCR12DSN-1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MCR12DSN-1G |
| SCR类型 | 灵敏栅极 |
| 不重复通态电流 | 100 A |
| 产品种类 | SCR |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 保持电流Ih最大值 | 6 mA |
| 关闭状态漏泄电流（在VDRMIDRM下） | 0.01 mA |
| 其它名称 | MCR12DSN-1GOS |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
| 工作温度 | -40°C ~ 110°C |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 最大工作温度 | + 110 C |
| 最大栅极峰值反向电压 | 18 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极触发电压-Vgt | 1 V |
| 栅极触发电流-Igt | 0.2 mA |
| 标准包装 | 75 |
| 正向电压下降 | 1.9 V |
| 电压-断态 | 800V |
| 电压-栅极触发(Vgt)（最大值） | 1V |
| 电压-通态(Vtm)（最大值） | 1.9V |
| 电流-不重复浪涌50、60Hz(Itsm) | 100A @ 60Hz |
| 电流-保持(Ih)（最大值） | 6mA |
| 电流-断态（最大值） | 10µA |
| 电流-栅极触发(Igt)（最大值） | 200µA |
| 电流-通态(It(AV))（最大值） | 7.6A |
| 电流-通态(It(RMS))（最大值） | 12A |
| 系列 | MCR12DSN |
| 额定重复关闭状态电压VDRM | 800 V |
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