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  • 型号: MCR12DSMT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MCR12DSMT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCR12DSMT4G价格参考。ON SemiconductorMCR12DSMT4G封装/规格:晶闸管 - SCR, SCR 600V 12A Sensitive Gate Surface Mount DPAK。您可以下载MCR12DSMT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCR12DSMT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

THYRISTOR SCR 12A 600V DPAKSCR 600V 12A

产品分类

SCR - 单个分离式半导体

GateTriggerCurrent-Igt

0.2 mA

GateTriggerVoltage-Vgt

1 V

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体闸流管,SCR,ON Semiconductor MCR12DSMT4G-

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产品型号

MCR12DSMT4G

PCN组件/产地

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SCR类型

灵敏栅极

不重复通态电流

100 A

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产品种类

SCR

供应商器件封装

DPAK-3

保持电流Ih最大值

6 mA

关闭状态漏泄电流(在VDRMIDRM下)

0.01 mA

其它名称

MCR12DSMT4GOSDKR

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

TO-252-3 (DPAK)

工作温度

-40°C ~ 110°C

工厂包装数量

2500

最大工作温度

+ 110 C

最大栅极峰值反向电压

18 V

最小工作温度

- 40 C

栅极触发电压-Vgt

1 V

栅极触发电流-Igt

0.2 mA

标准包装

1

正向电压下降

1.9 V

电压-断态

600V

电压-栅极触发(Vgt)(最大值)

1V

电压-通态(Vtm)(最大值)

1.9V

电流-不重复浪涌50、60Hz(Itsm)

100A @ 60Hz

电流-保持(Ih)(最大值)

6mA

电流-断态(最大值)

10µA

电流-栅极触发(Igt)(最大值)

200µA

电流-通态(It(AV))(最大值)

7.6A

电流-通态(It(RMS))(最大值)

12A

系列

MCR12DSM

额定重复关闭状态电压VDRM

600 V

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