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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MCP87130T-U/MF由Microchip设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCP87130T-U/MF价格参考。MicrochipMCP87130T-U/MF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCP87130T-U/MF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCP87130T-U/MF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 25V 8PDFNMOSFET N-channel 13.0mohm MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 54 A |
Id-连续漏极电流 | 54 A |
品牌 | Microchip Technology |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Microchip Technology MCP87130T-U/MF- |
数据手册 | http://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en560739 |
产品型号 | MCP87130T-U/MF |
PCN设计/规格 | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationDetails.aspx?id=5520&print=view |
Pd-PowerDissipation | 2.2 W |
Pd-功率耗散 | 2.2 W |
Qg-GateCharge | 5.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 5.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 13.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 13.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.35 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.35 V |
上升时间 | 5.4 ns |
下降时间 | 2.1 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.7V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 12.5V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13.5 毫欧 @ 10A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-PDFN (5x6) |
其它名称 | MCP87130T-U/MFCT |
典型关闭延迟时间 | 4.2 ns |
功率-最大值 | 2.2W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Microchip Technology |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装/箱体 | PDFN-8 |
工厂包装数量 | 3300 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 40 S |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 54A (Tc) |
配置 | Single Triple Source |