Datasheet下载- 型号： MCP1406-E/SN
- 制造商： Microchip
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCP1406-E/SN由Microchip设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCP1406-E/SN价格参考。MicrochipMCP1406-E/SN封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCP1406-E/SN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCP1406-E/SN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCP1406-E/SN 是由 Microchip Technology 提供的一款 PMIC（电源管理集成电路）中的栅极驱动器。其主要应用场景如下： 1. 功率 MOSFET 驱动 MCP1406-E/SN 专为驱动功率 MOSFET 而设计，适用于需要高效开关的场景。它能够提供高电流输出以快速切换 MOSFET 的栅极电压，从而减少开关损耗并提高系统效率。 2. DC-DC 转换器 在 DC-DC 转换器中，MCP1406-E/SN 可用于驱动主功率级的 MOSFET 或 IGBT。它的快速响应和低传播延迟特性使得它非常适合高频开关应用，例如降压（Buck）、升压（Boost）或升降压（Buck-Boost）转换器。 3. 电机驱动 在电机驱动应用中，MCP1406-E/SN 可用于驱动半桥或全桥电路中的功率 MOSFET。它支持高达 5A 的峰值驱动电流，能够满足大功率电机控制的需求，同时确保可靠的开关性能。 4. LED 驱动器 在 LED 照明系统中，MCP1406-E/SN 可用于驱动功率级 MOSFET，实现恒流或恒压控制。其高效的驱动能力和低静态电流特性有助于提升 LED 系统的整体效率。 5. 电池管理系统 (BMS) MCP1406-E/SN 可用于电池保护电路中，驱动充电/放电路径上的功率开关。其短路保护和过温保护功能增强了系统的安全性，特别适合锂电池或超级电容的应用。 6. 工业自动化 在工业自动化设备中，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等，MCP1406-E/SN 可用于驱动功率开关器件，实现精确的负载控制和信号隔离。 7. 消费电子 在消费电子产品中，如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等，MCP1406-E/SN 可用于驱动功率级 MOSFET，支持高效的能量转换和快速充电功能。 核心优势： - 高驱动能力：支持高达 5A 的峰值驱动电流。 - 宽输入电压范围：支持 4V 至 18V 输入电压，适应多种电源环境。 - 低传播延迟：确保快速开关，降低开关损耗。 - 保护功能：内置短路保护和过温保护，增强系统可靠性。 总之，MCP1406-E/SN 是一款高性能的栅极驱动器，广泛应用于需要高效功率转换和可靠开关控制的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC MOSFET DVR 6A 8SOIC门驱动器 6A Single |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC |
| 品牌 | Microchip Technology |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,Microchip Technology MCP1406-E/SN- |
| 数据手册 | http://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en520312 |
| 产品型号 | MCP1406-E/SN |
| PCN组件/产地 | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationDetails.aspx?id=5774&print=view |
| PCN设计/规格 | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationDetails.aspx?id=5704&print=view |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | MCP1406ESN |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Microchip Technology |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 延迟时间 | 40ns |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 100 |
| 激励器数量 | 1 |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 18 V |
| 电流-峰值 | 6A |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 电源电流 | 0.25 mA |
| 类型 | High-Speed Power MOSFET Driver |
| 输入类型 | 反相 |
| 输出数 | 1 |
| 输出电压 | +/- 0.025 V |
| 输出电流 | 6 A |
| 输出端数量 | 1 |
| 配置 | Inverting |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | - |
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