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  • 型号: MCH3476-TL-H
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3476-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3476-TL-H价格参考。ON SemiconductorMCH3476-TL-H封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 2A(Ta) 800mW(Ta) SC-70FL/MCPH3。您可以下载MCH3476-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCH3476-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MCH3476-TL-H 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的单通道 MOSFET 晶体管,属于增强型 N 沟道场效应晶体管 (FET)。它具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电力电子应用场景。以下是该型号的主要应用场景:

1. 电源管理:
   - MCH3476-TL-H 可用于各种电源管理电路中,如直流-直流转换器(DC-DC Converter)、开关模式电源(SMPS)和线性稳压器等。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高效率。
   
2. 电机控制:
   - 在电机驱动电路中,该 MOSFET 可以作为开关元件,用于控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较大的电流,并且具备快速开关能力,适合于无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型电机的控制。

3. 负载开关:
   - 用作负载开关时,MCH3476-TL-H 能够根据控制信号接通或断开负载与电源之间的连接。这在电池管理系统、智能电源分配以及便携式设备中非常有用,可以有效保护电路免受过流、短路等问题的影响。

4. 信号切换:
   - 在需要高频信号切换的应用场合,例如通信设备中的射频前端模块或者音频放大器中的输入选择电路,MCH3476-TL-H 的快速响应速度和低电容特性使其成为理想的选择。

5. 电池保护:
   - 对于锂电池或其他类型的可充电电池组,MCH3476-TL-H 可以集成到电池保护电路中,防止过度充放电和温度过高,确保电池的安全性和寿命。

总之,MCH3476-TL-H 凭借其出色的电气性能,在众多电力电子领域中发挥着重要作用,广泛应用于消费电子、工业自动化、汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 2A 20V MCPH3MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIES

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,1.8V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2 A

Id-连续漏极电流

2 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MCH3476-TL-H-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

MCH3476-TL-H

Pd-PowerDissipation

0.8 W

Pd-功率耗散

800 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

125 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

125 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

128pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.8nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

125 毫欧 @ 1A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

3-MCPH

功率-最大值

800mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

MCPH-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2A (Ta)

系列

MCH3476

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