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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3476-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3476-TL-H价格参考。ON SemiconductorMCH3476-TL-H封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 2A(Ta) 800mW(Ta) SC-70FL/MCPH3。您可以下载MCH3476-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCH3476-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH3476-TL-H 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的单通道 MOSFET 晶体管,属于增强型 N 沟道场效应晶体管 (FET)。它具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电力电子应用场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理: - MCH3476-TL-H 可用于各种电源管理电路中,如直流-直流转换器(DC-DC Converter)、开关模式电源(SMPS)和线性稳压器等。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高效率。 2. 电机控制: - 在电机驱动电路中,该 MOSFET 可以作为开关元件,用于控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较大的电流,并且具备快速开关能力,适合于无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型电机的控制。 3. 负载开关: - 用作负载开关时,MCH3476-TL-H 能够根据控制信号接通或断开负载与电源之间的连接。这在电池管理系统、智能电源分配以及便携式设备中非常有用,可以有效保护电路免受过流、短路等问题的影响。 4. 信号切换: - 在需要高频信号切换的应用场合,例如通信设备中的射频前端模块或者音频放大器中的输入选择电路,MCH3476-TL-H 的快速响应速度和低电容特性使其成为理想的选择。 5. 电池保护: - 对于锂电池或其他类型的可充电电池组,MCH3476-TL-H 可以集成到电池保护电路中,防止过度充放电和温度过高,确保电池的安全性和寿命。 总之,MCH3476-TL-H 凭借其出色的电气性能,在众多电力电子领域中发挥着重要作用,广泛应用于消费电子、工业自动化、汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 2A 20V MCPH3MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIES |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,1.8V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
Id-连续漏极电流 | 2 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MCH3476-TL-H- |
数据手册 | |
产品型号 | MCH3476-TL-H |
Pd-PowerDissipation | 0.8 W |
Pd-功率耗散 | 800 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 125 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 128pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.8nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 125 毫欧 @ 1A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 3-MCPH |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | MCPH-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |
系列 | MCH3476 |