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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MC33152VDR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MC33152VDR2G价格参考。ON SemiconductorMC33152VDR2G封装/规格:PMIC - 栅极驱动器, Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC。您可以下载MC33152VDR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MC33152VDR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MC33152VDR2G是ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的PMIC(电源管理集成电路),具体分类为栅极驱动器。该器件主要用于驱动功率MOSFET或IGBT的栅极,广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效、可靠地控制大电流和高电压的应用场景。 主要应用场景: 1. 汽车电子:MC33152VDR2G在汽车领域有广泛应用,尤其是在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)的动力系统中。它用于驱动电机控制器中的功率晶体管,确保电机能够高效运行,并提供稳定的电流输出。此外,它还适用于车载充电器(OBC)、DC-DC转换器等电力管理系统。 2. 工业自动化:在工业自动化设备中,如伺服驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)等,MC33152VDR2G可以有效驱动功率器件,实现精确的电流控制和快速响应。它能够提高系统的效率和可靠性,减少能量损耗。 3. 可再生能源:在太阳能逆变器、风力发电系统等可再生能源应用中,MC33152VDR2G用于驱动功率开关,帮助将直流电转换为交流电,确保电力传输的稳定性和高效性。 4. 家电与消费电子产品:在一些高性能家电(如空调、冰箱、洗衣机)以及消费电子产品(如电动工具、无人机)中,MC33152VDR2G可以驱动内部的功率器件,确保设备的高效运行和节能效果。 特点: - 高集成度:MC33152VDR2G集成了多个功能模块,减少了外部元件的数量,简化了电路设计。 - 低功耗:该器件具有较低的静态功耗,有助于提高整个系统的能效。 - 保护功能:内置过流、过温等保护机制,增强了系统的安全性和稳定性。 总之,MC33152VDR2G凭借其高效、可靠的性能,在多个行业中得到了广泛应用,特别是在需要精确控制功率器件的应用场景中表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC |
产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MC33152VDR2G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | MC33152VDR2GOSCT |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
延迟时间 | 55ns |
标准包装 | 1 |
电压-电源 | 6.1 V ~ 18 V |
电流-峰值 | 1.5A |
输入类型 | 非反相 |
输出数 | 2 |
配置 | 低端 |
配置数 | 2 |
高压侧电压-最大值(自举) | - |