ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > MC1413BDR2G
Datasheet下载- 型号： MC1413BDR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MC1413BDR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MC1413BDR2G价格参考￥1.07-￥1.09。ON SemiconductorMC1413BDR2G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC。您可以下载MC1413BDR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MC1413BDR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS 7 NPN DARL 50V 500MA 16SO达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor MC1413BDR2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MC1413BDR2G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.6V @ 500µA， 350mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 350mA，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC |
| 其它名称 | MC1413BDR2GOSCT |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-16 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 7 NPN 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 1000 |
| 系列 | MC1413 |
| 配置 | Array 7 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | - |
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