Datasheet下载- 型号： MBT3946DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MBT3946DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBT3946DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMBT3946DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MBT3946DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBT3946DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBT3946DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管 (BJT) 阵列。该型号属于晶体管阵列类别，具有多个独立的 BJT 单元集成在同一封装内，适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 - MBT3946DW1T1G 的 BJT 阵列可以用于音频、射频或其他低功率信号的放大。由于其高增益特性，适合在小型设备中实现信号增强功能。 2. 开关应用 - 该器件可作为电子开关使用，适用于需要快速切换的场景，例如 LED 驱动、继电器控制或小型电机驱动等。每个 BJT 单元都可以独立控制，提供灵活的多通道开关解决方案。 3. 电源管理 - 在低功耗系统中，MBT3946DW1T1G 可用于电流调节、电压限制或负载保护等功能。它能够帮助优化电源分配并提高系统的效率和可靠性。 4. 传感器接口 - 该 BJT 阵列可用于放大来自传感器的微弱信号，例如温度传感器、光敏电阻或压力传感器的输出信号，从而便于后续处理或显示。 5. 逻辑电平转换 - 在混合信号系统中，MBT3946DW1T1G 可以用于将低电平信号转换为更高的驱动电平，适用于不同电压标准之间的通信。 6. 多通道控制 - 由于其阵列结构，MBT3946DW1T1G 可同时控制多个独立的电路或负载，减少了对外部组件的需求，节省了空间和成本。 特性总结 - 封装形式：WDFN-8 封装，体积小巧，适合紧凑型设计。 - 工作电压：支持较宽的工作电压范围，适应多种应用场景。 - 低功耗：适合便携式或电池供电设备。 - 高可靠性：经过严格测试，确保长期稳定运行。 总之，MBT3946DW1T1G 在消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域有着广泛的应用潜力，是一款高效且灵活的双极性晶体管阵列产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 40V 200MA SC88两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MBT3946DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBT3946DW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MBT3946DW1T1GOSTR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V at NPN, 5 V at PNP |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz, 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
| 系列 | MBT3946DW1T1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V, 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.4 V, + 0.3 V |
| 集电极连续电流 | 0.2 A |
| 零件号别名 | MBT3946DW1T2G |
| 频率-跃迁 | 300MHz，250MHz |
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