ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > MBT3904DW1T1G
Datasheet下载- 型号： MBT3904DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MBT3904DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBT3904DW1T1G价格参考￥0.20-￥0.20。ON SemiconductorMBT3904DW1T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 200mA 300MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载MBT3904DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBT3904DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBT3904DW1T1G 是一款 NPN 型小信号晶体管，广泛应用于各种电子设备中。它具有低噪声、高增益和高开关速度的特点，适用于多种电路设计场景。以下是该元器件的主要应用场景： 1. 放大电路 MBT3904DW1T1G 可用于音频放大器、射频放大器等需要高增益和低噪声的场合。它的高增益特性使得它在小信号放大的应用中表现出色，能够有效地放大微弱信号，同时保持较低的噪声水平。 2. 开关电路 由于其快速的开关特性，MBT3904DW1T1G 也常用于数字电路中的开关应用。它可以作为逻辑电平转换器或驱动器，控制其他大功率元件（如继电器、LED 等）的通断。其低饱和电压和高电流增益使其在开关应用中效率较高。 3. 传感器接口 在传感器接口电路中，MBT3904DW1T1G 可以作为信号调理元件，将传感器输出的微弱信号进行放大处理。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，该晶体管可以帮助提高信号的灵敏度和稳定性。 4. 无线通信 在射频（RF）电路中，MBT3904DW1T1G 可用于低噪声放大器（LNA），特别是在接收端的前端放大电路中。它能够有效放大接收到的微弱射频信号，减少噪声干扰，提升通信质量。 5. 电源管理 在一些简单的电源管理电路中，MBT3904DW1T1G 可以用作线性稳压器中的调整管，帮助稳定输出电压。此外，它还可以用于过流保护电路中，检测并限制电流，防止电路过载。 6. 消费电子产品 MBT3904DW1T1G 广泛应用于各类消费电子产品中，如手机、平板电脑、智能手表等便携式设备。它的小封装尺寸和低功耗特性使其非常适合这些对空间和能耗有严格要求的产品。 总之，MBT3904DW1T1G 凭借其优异的性能和广泛的适用性，成为许多电子设计中的关键元件，尤其适合需要高增益、低噪声和快速响应的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 40V 200MA SC88两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MBT3904DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBT3904DW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MBT3904DW1T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
| 系列 | MBT3904DW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 35 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 55 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.3 V |
| 集电极连续电流 | - 2 A |
| 零件号别名 | MBT3904DW1T3G |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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