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  • 型号: MBRF20200CTG
  • 制造商: ON Semiconductor
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MBRF20200CTG产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MBRF20200CTG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBRF20200CTG价格参考。ON SemiconductorMBRF20200CTG封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack。您可以下载MBRF20200CTG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBRF20200CTG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MBRF20200CTG 是由 ON Semiconductor 生产的一款二极管整流器阵列,广泛应用于电力电子设备中。该器件具有低正向电压降、高浪涌电流能力以及出色的热性能,适用于多种应用场景。

 主要应用场景:

1. 电源管理:
   - MBRF20200CTG 常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中,作为输出整流器或同步整流器的一部分。其低正向电压降有助于提高电源效率,减少发热,延长设备寿命。
   
2. 电机驱动与控制:
   - 在电机驱动电路中,该器件可以用于整流逆变器的输出端,将交流电转换为直流电,确保电机稳定运行。其高浪涌电流能力使其能够承受电机启动时的瞬态大电流冲击。

3. 电池充电与保护:
   - 该器件可用于电池充电器中,作为整流元件,将交流电转换为直流电为电池充电。此外,它还可以用于防止电池过充或反向充电,提供额外的保护功能。

4. 工业自动化:
   - 在工业控制系统中,MBRF20200CTG 可以用于各种传感器、执行器和其他电子模块的电源整流。其耐用性和可靠性使其适合在恶劣环境下长期工作。

5. 汽车电子:
   - 汽车电子系统中,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、车身控制模块(BCM)等,都需要高效的整流器来处理复杂的电源需求。MBRF20200CTG 的高可靠性和宽温度范围特性使其成为理想选择。

6. 通信设备:
   - 在通信基站、路由器和其他网络设备中,该器件可以用于电源模块中的整流部分,确保稳定的直流电源供应,支持设备长时间稳定运行。

7. 消费电子产品:
   - 在家用电器、个人电脑及其外设中,MBRF20200CTG 可用于电源适配器、充电器等设备中,提供高效且可靠的整流功能。

总之,MBRF20200CTG 凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于广泛的电力电子应用领域,特别是在需要高效整流和高浪涌电流能力的场景中表现尤为出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220FP肖特基二极管与整流器 20A 200V

产品分类

二极管,整流器 - 阵列分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBRF20200CTGSWITCHMODE™

数据手册

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产品型号

MBRF20200CTG

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

1mA @ 200V

二极管类型

肖特基

二极管配置

1 对共阴极

产品

Schottky Diodes

产品目录页面

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产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

MBRF20200CTGOS

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220-3 FP

峰值反向电压

200 V

工作温度范围

- 65 C to + 150 C

工厂包装数量

50

技术

Silicon

最大反向漏泄电流

1000 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

150 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

50

正向电压下降

1 V

正向连续电流

20 A

热阻

3.5°C/W Jc

电压-DC反向(Vr)(最大值)

200V

电流-平均整流(Io)(每二极管)

10A

系列

MBRF20200CT

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

配置

Dual Common Cathode

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