【二极管 - 整流器 - 阵列_MBR30H100CTG】封装/厂家_MBR30H100CTG中文资料_价格

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型号： MBR30H100CTG
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MBR30H100CTG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBR30H100CTG价格参考。ON SemiconductorMBR30H100CTG封装/规格：二极管 - 整流器 - 阵列， Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 15A Through Hole TO-220-3。您可以下载MBR30H100CTG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBR30H100CTG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MBR30H100CTG 是由 ON Semiconductor 生产的二极管整流器阵列，广泛应用于需要高效、低损耗整流的电路中。该型号具有高电流处理能力和低正向压降的特点，适用于多种应用场景。

 主要应用场景：

1. 电源管理：
   MBR30H100CTG 常用于开关电源（SMPS）中的整流部分，能够有效地将交流电转换为直流电。其低正向压降特性减少了功率损耗，提高了电源的整体效率，特别适合于笔记本电脑适配器、LED驱动器和工业电源等应用。

2. 电机驱动：
   在电机控制电路中，该整流器阵列可以用于将逆变器输出的高频交流电转换为稳定的直流电，以驱动直流电机或无刷直流电机。其高电流处理能力确保了在大功率电机应用中的稳定性和可靠性。

3. 汽车电子：
   该器件符合AEC-Q101标准，适用于汽车电子系统中的整流需求，如车载充电器、发电机调节器等。其耐高温和抗振性能使其能够在严苛的汽车环境中保持稳定工作。

4. 太阳能光伏系统：
   在光伏逆变器中，MBR30H100CTG 可以用于最大功率点跟踪（MPPT）电路中的整流部分，确保太阳能电池板输出的最大功率能够高效地转换为可用的直流电。

5. 通信设备：
   在通信基站和服务器电源中，该整流器阵列可以用于高效的电源转换，提供稳定的直流电源，确保通信设备的可靠运行。

6. 消费电子产品：
   该器件也适用于各种消费电子产品，如电视、音响设备等，用于内部电源模块中的整流功能，确保设备的电源供应稳定且高效。

总之，MBR30H100CTG 凭借其出色的电气性能和可靠性，成为众多电力电子应用中的理想选择，尤其适合需要高效整流和高电流处理能力的场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO220AB肖特基二极管与整流器 30A 100V H-Series
产品分类	二极管，整流器 - 阵列分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBR30H100CTGSWITCHMODE™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MBR30H100CTG
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同If时的电压-正向(Vf)	800mV @ 15A
不同 Vr时的电流-反向漏电流	4.5µA @ 100V
二极管类型	肖特基
二极管配置	1 对共阴极
产品	Schottky Diodes
产品种类	肖特基二极管与整流器
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	MBR30H100CTG-ND MBR30H100CTGOS
包装	管件
反向恢复时间(trr)	-
商标	ON Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
峰值反向电压	100 V
工作温度范围	- 65 C to + 175 C
工厂包装数量	50
技术	Silicon
最大反向漏泄电流	4.5 uA
最大工作温度	+ 175 C
最大浪涌电流	250 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	50
正向电压下降	0.93 V
正向连续电流	30 A
热阻	2°C/W Jc
电压-DC反向(Vr)（最大值）	100V
电流-平均整流(Io)（每二极管）	15A
系列	MBR30H100CT
速度	快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
配置	Dual Common Cathode

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