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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MBR120ESFT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBR120ESFT3G价格参考。ON SemiconductorMBR120ESFT3G封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 表面贴装 二极管 20V 1A SOD-123FL。您可以下载MBR120ESFT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBR120ESFT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBR120ESFT3G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基整流二极管,属于二极管 - 整流器 - 单这一分类。该型号的主要应用场景包括: 1. 电源管理 MBR120ESFT3G 常用于各种电源管理系统中,尤其是在需要高效整流的场合。由于其低正向压降(Vf),它可以有效减少功率损耗,提高电源转换效率。适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)等设备。 2. 太阳能光伏系统 在太阳能光伏逆变器中,MBR120ESFT3G 可以作为旁路二极管或防反接二极管,防止电流反向流动,保护电路免受损坏。其快速恢复时间和低功耗特性使其在光伏系统中表现出色。 3. 汽车电子 该二极管广泛应用于汽车电子领域,如车载充电器、电池管理系统(BMS)、LED 驱动电路等。它能够承受较高的温度和电压波动,确保在严苛的汽车环境中稳定工作。 4. 工业自动化 在工业自动化设备中,MBR120ESFT3G 可用于电机驱动、传感器接口、通信模块等场景。其高可靠性和耐久性使其成为工业应用的理想选择。 5. 消费电子产品 该二极管也常见于消费电子产品中,如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等。它能够提供高效的整流功能,同时保持较低的发热水平,延长设备的使用寿命。 6. 通信设备 在通信基站、路由器、交换机等网络设备中,MBR120ESFT3G 可用于电源模块中的整流和保护电路,确保设备的稳定运行并减少能量损失。 总结: MBR120ESFT3G 凭借其低正向压降、快速恢复时间、高可靠性和宽工作温度范围等优点,适用于多种应用场景,特别是在对效率和可靠性要求较高的电源管理和工业控制领域表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123L肖特基二极管与整流器 1A 20V |
产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBR120ESFT3G- |
数据手册 | |
产品型号 | MBR120ESFT3G |
不同If时的电压-正向(Vf) | 530mV @ 1A |
不同 Vr、F时的电容 | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 20V |
二极管类型 | 肖特基 |
产品 | Schottky Diodes |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | SOD-123L |
包装 | 带卷 (TR) |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123F |
封装/箱体 | SOD-123FL |
峰值反向电压 | 20 V |
工作温度-结 | -65°C ~ 150°C |
工作温度范围 | - 65 C to + 150 C |
工厂包装数量 | 10000 |
技术 | Silicon |
最大反向漏泄电流 | 10 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大浪涌电流 | 40 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 10,000 |
正向电压下降 | 0.595 V at 2 A |
正向连续电流 | 1 A |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 20V |
电流-平均整流(Io) | 1A |
系列 | MBR120ESF |
速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
配置 | Single |
零件号别名 | MBR120ESFT1G |