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  • 型号: MBR120ESFT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MBR120ESFT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBR120ESFT1G价格参考。ON SemiconductorMBR120ESFT1G封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 表面贴装 二极管 20V 1A SOD-123L。您可以下载MBR120ESFT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBR120ESFT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123L肖特基二极管与整流器 1A 20V

产品分类

单二极管/整流器分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBR120ESFT1G-

数据手册

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产品型号

MBR120ESFT1G

PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

530mV @ 1A

不同 Vr、F时的电容

-

不同 Vr时的电流-反向漏电流

10µA @ 20V

二极管类型

肖特基

产品

Schottky Diodes

产品目录页面

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产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

SOD-123L

其它名称

MBR120ESFT1GOSDKR

包装

Digi-Reel®

反向恢复时间(trr)

-

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOD-123F

封装/箱体

SOD-123FL

峰值反向电压

20 V

工作温度-结

-65°C ~ 150°C

工作温度范围

- 65 C to + 150 C

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

最大反向漏泄电流

10 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

40 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

正向电压下降

0.595 V at 2 A

正向连续电流

1 A

热阻

26°C/W Jl

电压-DC反向(Vr)(最大值)

20V

电流-平均整流(Io)

1A

系列

MBR120ESF

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

配置

Single

零件号别名

MBR120ESFT3G

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