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  • 型号: MASMBJ12AE3
  • 制造商: MICRO-SEMI
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MASMBJ12AE3由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MASMBJ12AE3价格参考。MICRO-SEMIMASMBJ12AE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MASMBJ12AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MASMBJ12AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护

描述

TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AA

产品分类

TVS - 二极管

品牌

Microsemi HI-REL [MIL]

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10560-msmb-pdf

产品图片

产品型号

MASMBJ12AE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同频率时的电容

-

供应商器件封装

SMBJ(DO-214AA)

其它名称

1086-5459

功率-峰值脉冲

600W

包装

散装

单向通道

1

双向通道

-

安装类型

表面贴装

封装/外壳

DO-214AA,SMB

工作温度

-65°C ~ 150°C

应用

通用

标准包装

1

电压-击穿(最小值)

13.3V

电压-反向关态(典型值)

12V

电压-箝位(最大值)@Ipp

19.9V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

30.2A

电源线路保护

类型

齐纳

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