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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR GAN 100W 1.2-2.0GHZ射频JFET晶体管 1.2-2.0GHz 50Volt 100W Pk Gain 15.1dB |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
品牌 | MACOMM/A-Com Technology Solutions |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,MACOM MAGX-001220-100L00- |
数据手册 | |
产品型号 | MAGX-001220-100L00MAGX-001220-100L00 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 175 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 175 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 8 V |
产品 | RF JFET |
产品种类 | 射频JFET晶体管 |
供应商器件封装 | - |
其它名称 | 1465-1090 |
功率-输出 | 100W |
包装 | 散装 |
商标 | MACOM |
噪声系数 | - |
增益 | 14.8dB14.8 dB |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | - |
封装/箱体 | Cu/Mo/Cu Flanged Ceramic |
工作温度范围 | - 40 C to + 95 C |
工厂包装数量 | 25 |
技术 | GaN SiC |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | HEMT |
最大工作温度 | + 95 C |
最小工作温度 | - 40 C |
标准包装 | 5 |
正向跨导-最小值 | 2.5 S |
漏极连续电流 | 4.5 A |
漏源电压VDS | 175 V |
电压-测试 | 50V |
电压-额定 | 65V |
电流-测试 | 500mA |
类型 | GaN SiC HEMT |
输出功率 | 100 W |
闸/源击穿电压 | - 8 V |
频率 | 1.2GHz ~ 2GHz1.2 GHz to 1.4 GHz |
额定电流 | 4.5A |